초록 ▼

본 발명은 반도체 제조 중에 오버레이 및 처리 제어를 개선하기에 적합한 웨이퍼 지오메트리를 제공하기 위한 방법에 관한 것으로서, 웨이퍼 지오메트리 측정에 있어서 대구경 웨이퍼보다 측정 직경이 작은 소구경 게이지(기준미러)를 이용하여 측정을 할 때 웨이퍼를 각 영역별로 부구경으로 측정을 하여 스티칭 프로세스를 거쳐 하나의 웨이퍼 지오메트리 메트릭을 산출하는 방법을 설명한다. 각 부구경을 서로 스티칭하기 위해서 각 부구경에서의 데이터를 취득할 때 수반하게 되는 시스템 에러(스테이지 에러, 피스톤 에러, 기울기(tilt), 수차 등)를

본 발명은 반도체 제조 중에 오버레이 및 처리 제어를 개선하기에 적합한 웨이퍼 지오메트리를 제공하기 위한 방법에 관한 것으로서, 웨이퍼 지오메트리 측정에 있어서 대구경 웨이퍼보다 측정 직경이 작은 소구경 게이지(기준미러)를 이용하여 측정을 할 때 웨이퍼를 각 영역별로 부구경으로 측정을 하여 스티칭 프로세스를 거쳐 하나의 웨이퍼 지오메트리 메트릭을 산출하는 방법을 설명한다. 각 부구경을 서로 스티칭하기 위해서 각 부구경에서의 데이터를 취득할 때 수반하게 되는 시스템 에러(스테이지 에러, 피스톤 에러, 기울기(tilt), 수차 등)를 보상하기 위한 방법이 스티칭 단계에서 포함된다. 본 발명에서는 1차적으로 스테이지 에러를 보상하기 위한 단계가 먼저 수행되고 그런 다음 2차적으로 스테이지 에러를 제외한 기타 시스템 에러를 보상하기 위한 단계가 수행되고, 그런 후 최종 스티칭 결과값이 최적이 될 때까지 1차 2차의 단계가 반복되어 수행된다.

대표청구항 ▼

간섭계를 적용하여 대구경 웨이퍼의 표면형상 변화값을 측정하되 상기 대구경 웨이퍼보다 작은 소구경 게이지(기준미러)를 적용하여 상기 대구경 웨이퍼의 표면형상 변화값을 측정하는 방법에 있어서,(a) 상기 소구경 기준미러와 상기 대구경 웨이퍼 중 상기 소구경 기준미러의 크기에 대응되는 일부영역인 제 1 부구경으로부터 얻어지는 간섭무늬를 통해 상기 제1부구경에 대한 형상값으로 얻는 단계;(b) 상기 대구경 웨이퍼를 평면이동시켜 상기 기준미러와 간섭시키기 위한 제2부구경을 결정하되 상기 제2부구경은 상기 제1부구경과 일부분이 중첩되도록 결정

간섭계를 적용하여 대구경 웨이퍼의 표면형상 변화값을 측정하되 상기 대구경 웨이퍼보다 작은 소구경 게이지(기준미러)를 적용하여 상기 대구경 웨이퍼의 표면형상 변화값을 측정하는 방법에 있어서,(a) 상기 소구경 기준미러와 상기 대구경 웨이퍼 중 상기 소구경 기준미러의 크기에 대응되는 일부영역인 제 1 부구경으로부터 얻어지는 간섭무늬를 통해 상기 제1부구경에 대한 형상값으로 얻는 단계;(b) 상기 대구경 웨이퍼를 평면이동시켜 상기 기준미러와 간섭시키기 위한 제2부구경을 결정하되 상기 제2부구경은 상기 제1부구경과 일부분이 중첩되도록 결정되어, 상기 기준미러와 상기 제2부구경과의 간섭무늬를 통해 상기 제 2 부구경에 대한 형상값으로 얻는 단계; (c) 상기 (b)단계를 연속으로 N 회 수행하여 N개의 부구경에 대한 형상값을 획득하되, 상기 N 회 수행하여 획득한 N개의 부구경에는 상기 대구경 웨이퍼의 모든 영역이 포함되도록 N 회 수행하여 N개의 부구경에 대한 형상값으로 얻는 단계; (d) 상기 (c) 단계를 통해 획득한 제 1 내지 제 N 부구경에서 서로 중첩되는 부분을 이용하여, 웨이퍼의 이동중에 발생하는 시스템 에러를 각 부구경에서 제거하는 단계; (e) 상기 시스템 에러가 제거된 각각의 부구경에서 중첩된 영역을 제거하여 웨이퍼 전체의 형상값을 산출하는 단계; 를 통해 하나의 웨이퍼에 대한 표면형상값을 산출하는 방법