초록 ▼

□ 최종목표
◉ 세계 최초로 e-Beam을 이용한 오정렬 계측 시스템 개발
◉ 1x/2x nm Device 개발 및 양산 적용을 위한 Overlay 측정 Solution 개발
◉ 국내 반도체업계의 평가를 통한 제품의 신뢰성 및 양산성 확
◉ 핵심 부품의 국산화를 통한 가격 경쟁력 확보

□ 개발내용 및 결과
◉ 기존의 광학 장비는 특정 오정렬 마크를 측정하여 정확도가 실제 셀에서 측정하는 것보다 현저히 떨어지는 문제가 발생하였으나 본 설비는 직접 셀에서 측정 가능하여 정확도를 2-3배 향상

□ 최종목표
◉ 세계 최초로 e-Beam을 이용한 오정렬 계측 시스템 개발
◉ 1x/2x nm Device 개발 및 양산 적용을 위한 Overlay 측정 Solution 개발
◉ 국내 반도체업계의 평가를 통한 제품의 신뢰성 및 양산성 확
◉ 핵심 부품의 국산화를 통한 가격 경쟁력 확보

□ 개발내용 및 결과
◉ 기존의 광학 장비는 특정 오정렬 마크를 측정하여 정확도가 실제 셀에서 측정하는 것보다 현저히 떨어지는 문제가 발생하였으나 본 설비는 직접 셀에서 측정 가능하여 정확도를 2-3배 향상 시키게 되며 대략 1.5nm 정도임
◉ 전자빔을 만드는 컬럼(경통)의 성능을 확보하여 2nm급 분해능의 이미지를 확보하여 400-500nm 이하의 하층부의 패턴을 확보하여 오정렬 측정이 가능한 장비 제작(EO-1000)
◉ High Precision 오정렬 계측 알고리즘 개발
- 고진공용 나노 스테이지 개발
- 핵심 기술 국산화 진행(Column)

□ 기술개발 배경
◉ 오로스테크놀러지는 오정렬 측정 장비 개발 전문 업체로서 포토 공정에서 오정렬 정확도를 높이는 부분에 대한 많은 고민을 하고 있으며, 고객들의 셀 내에서 오정렬 측정 요청에 의해서 또한 기술적으로 구현 되었을 때 효과가 매우 크기 때문에 진행하게 됨.

□ 핵심개발 기술의 의의
◉ 세계 최초로 포토 공정에서 PR있는 상태에서 전자 빔을 활용한 오정렬 측정 가능한 장비 개발
◉ 반도체 포토 공정에서의 오정렬 정확도를 획기적으로 개선할수 있는 계기를 마련하게 됨
◉ 개발된 장비를 반도체 제조 공정에 도입함으로써 앞으로 있을 수입 대체 효과
◉ 고진공 스테이지 개발로 마련된 제조 기술을 다양한 분야로 활용 가능(반도체, 디스플레이, PCB 분야)

□ 적용 분야
◉ 반도체 전공정 MI(Metrology & Inspection) 분야로 활용
- 포토공정 오정렬 계측 설비
- 포토공정 CD 측정 설비

(출처 : 초록 )

목차 Contents

• 표지 ... 1기술개발사업 최종보고서 초록 ... 2기술개발사업 주요 연구성과 ... 9목차 ... 14제1장 서론 ... 16 제1절 과제의 개요 ... 16 1. 미세오정렬(Overlay) 공정의 개념 ... 16 2. 미세 오정렬 측정방법의 개념 ... 17 3. 기존 광학 오정렬 측정기술의 한계 ... 18제2장 과제 수행의 내용 및 결과(기술개발 내용 및 방법) ... 19 제1절 최종 목표 및 평가 방법 ... 19 1. 최종 목표 ... 19 2. 평가 방법 ... 21 제2절 연차별 개발 내용 및 개발 범위 ... 23 1. 1차년도 ... 23 2. 2차년도 ... 36 3. 3차년도 ... 44 제3절 수행 결과의 보안등급 ... 51 제4절 유형적 발생품(연구시설, 연구장비 등) 구입 및 관리 현황 ... 51제3장 결과 및 사업화 계획 ... 52 제1절 연구개발 최종 결과 ... 52 1. 연구개발 추진 일정 ... 52 2. 연구개발 추진 실적 ... 58 3. 기술개발 결과의 유형 및 무형 성과 ... 282 제2절 연구개발 추진 체계(각 기관별/기업별 역할 및 추진내역) ... 304 1. 추진 전략 ... 304 2. 각 기관별 역할 ... 310 제3절 시장 현황 및 사업화 전망 ... 311 제4절 고용 창출 효과 ... 315 제5절 자체보안관리진단표 ... 316끝페이지 ... 317