초록

본 발명은 김 사상체의 배양방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 김 사상체(conchocelis)의 성장을 촉진시키기 위하여 무기염을 이용한 배양방법을 제공하고자 한다.본 발명에 따른 김 사상체의 배양방법은 김 사상체를 배양할 때 경제적이면서도 인체에 영향을 전혀 주지 않는 무기염을 첨가함으로써 김 사상체의 성장률을 향상시키는데 효과적이다. 따라서, 본 발명에 따른 김 사상체의 배양방법을 통해 배양된 김 사상체의 성장률이 촉진됨에 따라, 김의 우수종자보급을 효율적으로 증가시킬 수 있으며, 이는 수익 증대에도 현저한 효과를 나타낸다.

대표청구항 ▼

김 사상체(conchocelis)를 배양 용기에 넣는 단계;상기 배양 용기에 무기염을 첨가한 배지를 투입하는 단계; 및조도, 온도 및 광주기를 조절하여 배양하는 단계;를 포함하되,상기 무기염이 질산 암모늄인 경우 300 내지 600 mg/L의 농도로 배지에 첨가되고,상기 무기염이 황산 암모늄인 경우 1500 내지 1700 mg/L의 농도로 배지에 첨가되며,상기 배양은 3월에서 6월 하순 사이에 진행되고,상기 조도는 800 내지 1000 lux로 조절되며, 상기 광주기는 L(light) : D(dark period)가 10 - 16

김 사상체(conchocelis)를 배양 용기에 넣는 단계;상기 배양 용기에 무기염을 첨가한 배지를 투입하는 단계; 및조도, 온도 및 광주기를 조절하여 배양하는 단계;를 포함하되,상기 무기염이 질산 암모늄인 경우 300 내지 600 mg/L의 농도로 배지에 첨가되고,상기 무기염이 황산 암모늄인 경우 1500 내지 1700 mg/L의 농도로 배지에 첨가되며,상기 배양은 3월에서 6월 하순 사이에 진행되고,상기 조도는 800 내지 1000 lux로 조절되며, 상기 광주기는 L(light) : D(dark period)가 10 - 16 : 14 - 8로 설정하며,상기 온도는 18 내지 20 ℃로 수행된 후, 15 내지 16 ℃로 낮추는 것을 특징으로 하는 김 사상체의 배양방법.