[특허]원자층 증착을 이용한 이차원 반도체의 도핑방법 및 그를 포함하는 CMOS 소자의 제조방법

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[한국특허] 원자층 증착을 이용한 이차원 반도체의 도핑방법 및 그를 포함하는 CMOS 소자의 제조방법
METHOD FOR DOPING 2D SEMICONDUCTOR USING ATOMIC LAYER DEPOSITION AND METHOD FOR FABRICATING CMOS DEVICE COMPRISING THE SAME 원문보기

IPC분류정보
국가/구분	한국(KR)/등록특허	크게보기
국제특허분류(IPC8판)	H01L-021/02 H01L-021/28 H01L-021/285 H01L-029/66
출원번호	10-2017-0049102 (2017-04-17)
등록번호	10-1904383-0000 (2018-09-27)
DOI	http://doi.org/10.8080/1020170049102
발명자 / 주소	임성일 / 서울특별시 서대문구 연세로 , 연세대학교 과학관 호(신촌동) 임준영 / 서울특별시 서대문구 연세로 , 연세대학교 과학관 호(신촌동) 최형준 / 서울특별시 서대문구 연세로 , 연세대학교 과학관 ***호(신촌동)
출원인 / 주소	연세대학교 산학협력단 / 서울특별시 서대문구 연세로 ** (신촌동, 연세대학교)
대리인 / 주소	특허법인충현
심사청구여부	있음 (2017-04-17)
심사진행상태	등록결정(일반)
법적상태	등록

초록 ▼

본 발명은 2차원 전이금속 칼코겐화합물(transition Metal Dichalcogenides)을 포함하는 반도체상에 무기물 전구체와 산소 소스를 사용하여 원자층 증착(atomic layer deposition)을 수행하여 무기 절연막을 형성함으로써, 상기 2차원 전이금속 칼로겐 화합물을 전자도핑하는, 반도체의 도핑방법 및 그를 포함하는 트랜지스터, CMOS 소자의 제조방법에 관한 것이다. 이에 의하여, 반도체 도핑에 있어서 이미 실리콘 반도체 공정 상에 널리 사용되는 원자층 증착 방법을 사용하여 절연층 증착과 동일한 기술과 장비를 적용할 수 있으므로 추가적인 장비 세팅이 필요하지 않으며, 또한 CMOS 소자의 제조시 노광 기술을 통한 패터닝 작업을 적용하여 동일한 채널층의 일정 영역의 선택적 도핑을 적용할 수 있어, 2차원 물질을 활용한 집적회로 연구 및 개발에 있어 공정 및 비용면에서 효율적이다. 또한, 2차원 반도체를 안정적인 n형 반도체로 제조할 수 있다는 장점이 있다.

대표청구항

2차원 전이금속 칼코겐화합물(transition Metal Dichalcogenides)을 포함하는 반도체상에 무기물 전구체와 산소 소스를 사용하여 원자층 증착(atomic layer deposition)을 수행하여 무기 절연막을 형성함으로써, 상기 2차원 전이금속 칼코겐 화합물을 전자도핑하고, 상기 산소 소스는 물(H2O) 또는 과산화수소(H2O2)이고, 상기 원자층 증착에 따라 상기 2차원 전이금속 칼코겐화합물을 포함하는 반도체의 격자 사이에 수소원자가 침투함으로써 전자도핑이 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 도핑방법.

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[한국] 반도체 장치 및 그 제작 방법 | 야마자키 순페이
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[한국] 유기 발광 소자의 보호막 형성 방법 | 박상희, 황치선, 추혜용
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IPC	Description
A	생활필수품
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A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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