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| 국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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| 국제특허분류(IPC8판) |
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| 출원번호 | 10-2017-0086598 (2017-07-07) | |
| 공개번호 | 10-2019-0006143 (2019-01-17) | |
| 등록번호 | 10-2378427-0000 (2022-03-21) | |
| DOI | http://doi.org/10.8080/1020170086598 | |
| 발명자 / 주소 | ||
| 출원인 / 주소 |
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| 대리인 / 주소 |
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| 심사청구여부 | 있음 (2020-07-02) | |
| 심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
| 법적상태 | 등록 |
반도체 소자는 기판 상에 차례로 배치된 하부 전극, 유전 막, 및 상부 전극을 포함하는 커패시터를 포함한다. 상기 유전 막은 정방 결정 구조의 하프늄 산화물을 포함하는 하프늄 산화 막 및 산화 시드 물질을 포함하는 산화 시드 막을 포함하되, 상기 산화 시드 물질은 상기 정방 결정 구조의 하프늄 산화물의 수평 격자 상수 또는 수직 격자 상수 중의 어느 하나와 6% 이하의 격자 불일치를 갖는 격자 상수를 포함한다.
기판 상에 차례로 배치된 하부 전극, 유전 막, 및 상부 전극을 포함하는 커패시터를 포함하되,상기 유전 막은:정방 결정 구조의 하프늄 산화물을 포함하는 하프늄 산화 막; 및산화 시드 물질을 포함하는 산화 시드 막을 포함하되,상기 커패시터는 도전성 시드 막을 더 포함하고, 상기 하프늄 산화 막은 상기 산화 시드 막 및 상기 도전성 시드 막 사이에 배치되고, 상기 산화 시드 물질은 상기 정방 결정 구조의 하프늄 산화물의 수평 격자 상수 또는 수직 격자 상수 중의 어느 하나와 6% 이하의 격자 불일치를 갖는 격자 상수를 포함하고, 상기
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