[특허]강유전성의 커패시터, 트랜지스터, 메모리 소자 및 강유전성의 커패시터의 제조방법

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[한국특허] 강유전성의 커패시터, 트랜지스터, 메모리 소자 및 강유전성의 커패시터의 제조방법
Ferroelectric capacitor, transistor, and memory device and fabrication method for the ferroelectric capacitor 원문보기

IPC분류정보
국가/구분	한국(KR)/공개특허	크게보기
국제특허분류(IPC8판)	H01L-049/02 H01L-027/11502 H01L-029/78
출원번호	10-2019-0178508 (2019-12-30)
공개번호	10-2021-0085460 (2021-07-08)
DOI	http://doi.org/10.8080/1020190178508
발명자 / 주소	전상훈 / 서울특별시 서초구 서운로 *, 동 ***호 (서초동, 래미안 서초 에스티지S)
출원인 / 주소	삼성전자주식회사 / 경기도 수원시 영통구 삼성로 * (매탄동) 한국과학기술원 / 대전광역시 유성구 대학로 *(구성동)
대리인 / 주소	리앤목특허법인
법적상태	공개

초록

강유전체층을 포함하는 강유전성 커패시터, 강유전성 트랜지스터, 강유전성 메모리 소자 및 강유전성 커패시터의 제조방법을 개시한다.일 구현예에 의한 강유전성 커패시터는 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하는 제2 전극; 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 위치하고, 하프늄계 산화물을 포함하는 강유전체층; 및 상기 강유전체층과 상기 제1 전극 사이 또는 상기 강유전체층과 상기 제2 전극 사이의 계면층을 포함하고, 상기 계면층은 HfO2을 포함한다.

대표청구항

제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하는 제2 전극;상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 위치하고, 하프늄계 산화물을 포함하는 강유전체층; 및 상기 강유전체층과 상기 제1 전극 사이 또는 상기 강유전체층과 상기 제2 전극 사이의 계면층을 포함하고, 상기 계면층은 HfO2을 포함하는 강유전성 커패시터.

이 특허에 인용된 특허 (2)

[미국] DOPED FERROELECTRIC HAFNIUM OXIDE FILM DEVICES | Nishida, Toshikazu, Takmeel, Mohammad, Moghaddam, Saeed, Patrick, Lomenzo
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[국제] MULTILAYER INSULATOR STACK FOR FERROELECTRIC TRANSISTOR AND CAPACITOR | AVCI, Uygar E., HOWARD, Joshua M., KIM, Seiyon, YOUNG, Ian A.,
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IPC	Description
A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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