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| 국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 | |
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| 국제특허분류(IPC8판) |
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| 출원번호 | 10-2020-0121326 (2020-09-21) | |
| 공개번호 | 10-2022-0038918 (2022-03-29) | |
| DOI | http://doi.org/10.8080/1020200121326 | |
| 발명자 / 주소 | ||
| 출원인 / 주소 |
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| 대리인 / 주소 |
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| 법적상태 | 공개 |
커패시터는 하부 전극, 상기 하부 전극 상에 구비되고, 제1 지르코늄 산화막, 하프늄 산화막 및 제2 지르코늄 산화막이 순차적으로 적층된 구조를 포함하는 유전막 구조물 및 상기 유전막 구조물 상에 구비되는 상부 전극을 포함한다. 상기 하프늄 산화막은 정방정계 결정상 또는 사방정계 결정상을 가진다. 상기 커패시터는 높은 정전용량을 가질 수 있다.
하부 전극; 상기 하부 전극 상에 구비되고, 제1 지르코늄 산화막, 하프늄 산화막 및 제2 지르코늄 산화막이 순차적으로 적층된 구조를 포함하는 유전막 구조물; 및 상기 유전막 구조물 상에 구비되는 상부 전극을 포함하고, 상기 하프늄 산화막은 정방정계 결정상 또는 사방정계 결정상을 가지는 커패시터.
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