초록 ▼

본 발명은 스퍼터링 캐소드 및 스퍼터링 장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 스퍼터링 타겟의 일면에 형성되는 자기장의 세기를 증가시키는 고밀도 플라즈마 형성을 위한 스퍼터링 캐소드 및 스퍼터링 장치에 관한 것이다.본 발명의 일실시예에 따른 스퍼터링 캐소드는 타겟 재료로 이루어진 스퍼터링 타겟; 상기 스퍼터링 타겟의 배면 측에 제공되는 복수의 자석; 상기 복수의 자석이 지지되는 지지부재; 상기 복수의 자석은, 제1 극성을 갖는 자극이 상기 스퍼터링 타겟을 향하는 제1 자석; 및 상기 제1 극성과 동일한 극성을 갖는 자극이 상기 지지

본 발명은 스퍼터링 캐소드 및 스퍼터링 장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 스퍼터링 타겟의 일면에 형성되는 자기장의 세기를 증가시키는 고밀도 플라즈마 형성을 위한 스퍼터링 캐소드 및 스퍼터링 장치에 관한 것이다.본 발명의 일실시예에 따른 스퍼터링 캐소드는 타겟 재료로 이루어진 스퍼터링 타겟; 상기 스퍼터링 타겟의 배면 측에 제공되는 복수의 자석; 상기 복수의 자석이 지지되는 지지부재; 상기 복수의 자석은, 제1 극성을 갖는 자극이 상기 스퍼터링 타겟을 향하는 제1 자석; 및 상기 제1 극성과 동일한 극성을 갖는 자극이 상기 지지부재를 향하며, 상기 제1 자석의 양측으로 복수개가 연이어 배치되는 제2 자석을 포함할 수 있다.

대표청구항 ▼

타겟 재료로 이루어진 스퍼터링 타겟;상기 스퍼터링 타겟의 배면 측에 제공되는 복수의 자석; 및제1 방향으로 연장되는 막대 또는 관 형상이며, 그 외주를 따라 상기 복수의 자석이 지지되는 지지부재;를 포함하고,상기 복수의 자석은,제1 극성을 갖는 자극이 상기 스퍼터링 타겟을 향하는 제1 자석; 및상기 제1 극성과 동일한 극성을 갖는 자극이 상기 지지부재의 외주면을 향하는 복수개의 제2 자석을 포함하고,상기 타겟 재료는 강자성체이며,상기 제1 자석의 일측에서 상기 제1 자석의 타측까지의 상기 지지부재의 외주면에는 상기 복수개의 제2 자

타겟 재료로 이루어진 스퍼터링 타겟;상기 스퍼터링 타겟의 배면 측에 제공되는 복수의 자석; 및제1 방향으로 연장되는 막대 또는 관 형상이며, 그 외주를 따라 상기 복수의 자석이 지지되는 지지부재;를 포함하고,상기 복수의 자석은,제1 극성을 갖는 자극이 상기 스퍼터링 타겟을 향하는 제1 자석; 및상기 제1 극성과 동일한 극성을 갖는 자극이 상기 지지부재의 외주면을 향하는 복수개의 제2 자석을 포함하고,상기 타겟 재료는 강자성체이며,상기 제1 자석의 일측에서 상기 제1 자석의 타측까지의 상기 지지부재의 외주면에는 상기 복수개의 제2 자석만이 연속되어 배치되고,상기 복수개의 제2 자석은 상기 제1 자석과 자기력선으로 연결되는 스퍼터링 캐소드.