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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2017-7021756 (2017-08-03) | |
공개번호 | 10-2017-0098317 (2017-08-29) | |
등록번호 | 10-2308342-0000 (2021-09-28) | |
국제출원번호 | PCT/EP2015/050353 (2015-01-09) | |
국제공개번호 | WO 2016/110332 (2016-07-14) | |
번역문제출일자 | 2017-08-03 | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020177021756 | |
발명자 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2020-01-06) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
본 명세서는 SiC 기판(11), Inx1AIy1Ga1-x1-y1N 버퍼 레이어(13) -여기서 x1=0-1, y1=0-1 및 x1+y1=1 임-, 상기 SiC 기판(11)과 상기 버퍼 레이어(13) 사이에 샌드위치되는(sandwiched) Inx2AIy2Ga1-x2-y2N 핵생성 레이어(12) -여기서 x2=0-1, y2=0-1 및 x2+y2=1임-를 포함하는 반도체 소자 구조(1)를 개시한다. X-선 회절(X-ray Diffraction; XRD)에 의해 결정되는 바와 같이, 상기 버퍼 레이어는 250 arcsec 이하의 FWH
SiC 기판; Inx1AIy1Ga1-x1-y1N 버퍼 레이어 여기서 x1=0-1, y1=0-1 및 x1+y1≤1 임-; 및상기 SiC 기판과 상기 버퍼 레이어 사이에 샌드위치되는(sandwiched) Inx2AIy2Ga1-x2-y2N 핵생성 레이어 여기서 x2=0-1, y2=0-1 및 x2+y2≤1 임-를 포함하고, 버퍼 레이어는 1 내지 4㎛의 두께를 갖고, 핵생성 레이어는 10-100nm의 두께를 갖고, X-선 회절(X-ray Diffraction; XRD)에 의해 결정되는 바와 같이, 상기 버퍼 레이어는 250 arcsec
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