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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2002-7014147 (2002-10-22) |
공개번호 | 10-2003-0037223 (2003-05-12) |
국제출원번호 | PCT/GB2002/002946 (2002-06-20) |
국제공개번호 | WO2003006701 (2003-01-23) |
번역문제출일자 | 2002-10-22 |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020027014147 |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사진행상태 | 취하(심사미청구) |
법적상태 | 취하 |
타겟으로부터 음으로 바이어스 될 수 있는 연마판 상에 유지된 작업편 상에 질화알루미늄을 스퍼터 침착하는 단계를 포함한 결정학적으로 배향된 질화알루미늄 침착 방법이 발표된다. 스퍼터링 가스는 크립톤이나 크세논을 포함하고 웨이퍼를 가로질러 평탄한 XRD FWHM 프로파일과 cm2당 ≤ +/- 5E10-8 다인의 범위 내에서 공칭 제로 응력을 제공하도록 연마판으로의 바이어스가 선택된다.
타겟으로부터 음으로 바이어스 될 수 있는 연마판 상에 유지된 작업편 상에 질화알루미늄을 스퍼터 침착하는 단계를 포함한 결정학적으로 배향된 질화알루미늄 침착 방법에 있어서, 스퍼터링 가스는 크립톤이나 크세논을 포함하고 웨이퍼를 가로질러 평탄한 XRD FWHM 프로파일과 cm2당 ≤ +/- 5E10-8 다인의 범위 내에서 공칭 제로 응력을 제공하도록 연마판으로의 바이어스가 선택됨을특징으로 하는 침착 방법제 1항에 있어서, 스퍼터링 가스가 크립톤이나 크세논과 질소의 혼합물이고 타겟이 알루미늄임을 특징으로 하는 방법제 2항에 있어서, 크립
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