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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 |
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국제특허분류(IPC9판) |
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출원번호 | 10-2007-0045991 (2007-05-11) |
공개번호 | 10-2008-0099994 (2008-11-14) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020070045991 |
발명자 / 주소 | |
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2007-05-11) |
심사진행상태 | 거절결정(일반) |
법적상태 | 거절 |
본 발명은 반도체 소자의 하드 마스크 패턴 형성 방법에 관한 것으로, 반도체 소자의 하드 마스크 패턴 형성 공정 시 노광 공정을 이용한 포토 레지스트 패턴을 이용하여 제1 하드 마스크 패턴들을 형성하고, 제1 하드 마스크 패턴들을 포함한 전체 구조 상에 분리막을 형성한 후, 제1 하드 마스크 패턴들 사이의 공간에 제2 하드 마스크 패턴을 형성하고 노출되는 분리막을 식각 제거함으로써, 노광 장비 해상력 이하의 피치를 갖는 마스크를 형성할 수 반도체 소자의 하드 마스크 패턴 형성 방법을 개시한다.
반도체 기판 상에 식각 대상층을 형성하는 단계;상기 식각 대상층 상에 제1 하드 마스크 패턴을 형성하는 단계;상기 제1 하드 마스크 패턴을 포함한 상기 식각 대상층 상에 분리막을 형성하는 단계;상기 제1 하드 마스크 패턴 사이의 공간 상에 형성된 상기 분리막 상에 하드마스크막을 형성하는 단계;상기 제1 하드 마스크 패턴의 상부와 측벽에 형성된 상기 분리막을 제거하여 상기 분리막과 상기 하드마스크막이 적층된 제2 하드 마스크 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 반도체 소자의 하드 마스크 패턴 형성 방법.제 1 항에 있어서,상기 식각 대상
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