초록

본 발명은 플라즈마 소스에 관한 것이다. 본 발명에 따른 고밀도 플라즈마 소스는 전자빔 및 이온빔 중 어느 하나를 외부로 제공하는 플라즈마 챔버; 및 상기 플라즈마 챔버와 연통되어, 상기 플라즈마 챔버 내부로 다수 개의 전자들을 공급하는 하나 또는 둘 이상의 전자 발생기;를 구비하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따른 고밀도 플라즈마 소스는 전자 발생기를 이용하여 플라즈마 챔버 내에 형성된 플라즈마에 다수 개의 전자들을 공급함으로써, 플라즈마의 밀도를 높일 수 있게 된다.

대표청구항 ▼

그리드부가 제1면에 형성되고 하나 또는 둘 이상의 관통홀들이 제2면에 형성된 플라즈마 처리실을 구비하고, 상기 플라즈마 처리실에서 플라즈마를 생성하고, 상기 그리드부를 통해 상기 플라즈마 처리실의 플라즈마로부터 전자빔 및 이온빔 중 어느 하나를 추출하여 외부로 제공하는 플라즈마 챔버; 및상기 플라즈마 챔버의 관통홀을 통해 상기 플라즈마 챔버의 플라즈마 처리실과 연결되고, 내부에서 플라즈마를 생성하고, 상기 플라즈마로부터 전자들을 추출하고, 상기 추출된 전자들을 상기 관통홀을 통해 상기 플라즈마 챔버의 플라즈마 처리실로 공급하는 하나

그리드부가 제1면에 형성되고 하나 또는 둘 이상의 관통홀들이 제2면에 형성된 플라즈마 처리실을 구비하고, 상기 플라즈마 처리실에서 플라즈마를 생성하고, 상기 그리드부를 통해 상기 플라즈마 처리실의 플라즈마로부터 전자빔 및 이온빔 중 어느 하나를 추출하여 외부로 제공하는 플라즈마 챔버; 및상기 플라즈마 챔버의 관통홀을 통해 상기 플라즈마 챔버의 플라즈마 처리실과 연결되고, 내부에서 플라즈마를 생성하고, 상기 플라즈마로부터 전자들을 추출하고, 상기 추출된 전자들을 상기 관통홀을 통해 상기 플라즈마 챔버의 플라즈마 처리실로 공급하는 하나 또는 둘 이상의 전자 발생기;를 구비하고, 상기 전자 발생기는 전자들을 상기 플라즈마 챔버의 플라즈마 처리실로 공급하고, 플라즈마 챔버의 플라즈마 처리실은 상기 전자 발생기로부터 공급받은 전자에 의해 플라즈마 발생 확률이 증가됨으로써 플라즈마 처리실 내부의 플라즈마 밀도를 증가시키는 것을 특징으로 하는 고밀도 플라즈마 소스.