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| 국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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| 국제특허분류(IPC8판) |
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| 출원번호 | 10-2018-0048081 (2018-04-25) | |
| 공개번호 | 10-2019-0124031 (2019-11-04) | |
| 등록번호 | 10-2629345-0000 (2024-01-22) | |
| DOI | http://doi.org/10.8080/1020180048081 | |
| 발명자 / 주소 |
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| 출원인 / 주소 |
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| 대리인 / 주소 |
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| 심사청구여부 | 있음 (2021-04-23) | |
| 심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
| 법적상태 | 등록 |
3차원 반도체 메모리 장치가 제공된다. 3차원 반도체 메모리 장치는 하부 절연막 상에 배치된 수평 반도체층으로서, 상기 수평 반도체층은 셀 어레이 영역 및 연결 영역을 포함하는 것; 상기 수평 반도체층 상에 수직적으로 적층된 전극들을 포함하며, 상기 연결 영역에서 계단식 구조를 갖는 전극 구조체; 상기 셀 어레이 영역에서 상기 전극 구조체를 관통하는 복수 개의 제 1 수직 구조체들; 및 상기 연결 영역에서 상기 전극 구조체 및 상기 수평 반도체층을 관통하며, 복수 개의 제 2 수직 구조체들을 포함하되, 상기 제 2 수직 구조체들의
하부 절연막 상에 배치된 수평 반도체층으로서, 상기 수평 반도체층은 셀 어레이 영역 및 연결 영역을 포함하는 것;상기 수평 반도체층 상에 수직적으로 적층된 전극들을 포함하며, 상기 연결 영역에서 계단식 구조를 갖는 전극 구조체;상기 셀 어레이 영역에서 상기 전극 구조체를 관통하는 복수 개의 제 1 수직 구조체들로서, 상기 제 1 수직 구조체들 각각은 제 1 하부 반도체 패턴 및 상기 제 1 하부 반도체 패턴 상의 제 1 상부 반도체 패턴을 포함하는 것; 및 상기 연결 영역에서 상기 전극 구조체 및 상기 수평 반도체층을 관통하는 복수
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