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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2018-0057306 (2018-05-18) | |
공개번호 | 10-2019-0132080 (2019-11-27) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020180057306 | |
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심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
3차원 반도체 소자를 제공한다. 이 3차원 반도체 소자는 하부 구조물 상에 배치되며, 서로 이격되는 제1 연장 영역 및 제2 연장 영역; 상기 하부 구조물 상에 배치되며, 상기 제1 연장 영역과 상기 제2 연장 영역 사이에 배치되는 메모리 블록; 및 상기 하부 구조물 상에 배치되며, 서로 이격되는 제1 주 분리 구조물 및 제2 주 분리 구조물을 포함한다. 상기 제1 연장 영역, 상기 메모리 블록 및 상기 제2 연장 영역은 상기 제1 및 제2 주 분리 구조물들 사이에 배치되고, 상기 메모리 블록은 정보 저장 영역들 및 워드라인들을 포
하부 구조물 상에 배치되며, 서로 이격되는 제1 연장 영역 및 제2 연장 영역;상기 하부 구조물 상에 배치되며, 상기 제1 연장 영역과 상기 제2 연장 영역 사이에 배치되는 메모리 블록; 및상기 하부 구조물 상에 배치되며, 서로 이격되는 제1 주 분리 구조물 및 제2 주 분리 구조물을 포함하되,상기 제1 연장 영역, 상기 메모리 블록 및 상기 제2 연장 영역은 상기 제1 및 제2 주 분리 구조물들 사이에 배치되고,상기 메모리 블록은 정보 저장 영역들 및 워드라인들을 포함하고,상기 제1 및 제2 연장 영역들은 상기 워드라인들이 상기
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