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| 국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 | |
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| 국제특허분류(IPC8판) |
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| 출원번호 | 10-2019-0111467 (2019-09-09) | |
| 공개번호 | 10-2021-0030533 (2021-03-18) | |
| DOI | http://doi.org/10.8080/1020190111467 | |
| 발명자 / 주소 | ||
| 출원인 / 주소 |
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| 대리인 / 주소 |
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| 심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
| 법적상태 | 공개 |
제 1 실리콘 기판에 적층되는 복수의 게이트 전극층을 갖는 적층 구조체, 상기 적층 구조체를 관통하여, 상기 기판의 상부면에 수직하는 방향으로 연장되는 복수의 채널 영역, 상기 적층 구조체 상에 배치되는 제 1 층간 절연층, 및 상기 층간 절연층 상에 배치되는 주변 회로 구조체를 포함하는 3차원 반도체 장치를 제공하되, 상기 주변 회로 구조체는 제 2 실리콘 기판의 제 1 면 상에 배치되고, 상기 복수의 채널 영역 및 상기 복수의 게이트 전극층 중 적어도 일부와 전기적으로 연결되는 복수의 주변 회로 소자를 포함하고, 상기 제 1 실
제 1 기판에 적층되는 복수의 게이트 전극층을 갖는 적층 구조체;상기 적층 구조체를 관통하여, 상기 기판의 상부면에 수직하는 방향으로 연장되는 복수의 채널 영역;상기 적층 구조체 상에 배치되는 제 1 층간 절연층; 및상기 층간 절연층 상에 배치되는 주변 회로 구조체를 포함하되,상기 주변 회로 구조체는 제 2 기판의 제 1 면 상에 배치되고, 상기 복수의 채널 영역 및 상기 복수의 게이트 전극층 중 적어도 일부와 전기적으로 연결되는 복수의 주변 회로 소자를 포함하고,상기 제 1 기판은 그의 상부면에 평행한 제 1 결정면을 갖고,상기
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