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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2018-0048241 (2018-04-26) | |
공개번호 | 10-2018-0127190 (2018-11-28) | |
등록번호 | 10-1934860-0000 (2018-12-27) | |
우선권정보 | 대한민국(KR) 1020170061699 (2017-05-18) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020180048241 | |
발명자 / 주소 | ||
출원인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2018-06-01) | |
심사진행상태 | 등록결정(재심사후) | |
법적상태 | 등록 |
본 발명은 투명 기판 상에 실리콘(Si) 또는 실리콘(Si) 화합물로 이루어지며, 고투과율 특성을 갖는 위상반전막이 구비된 고투과율 위상반전 블랭크 마스크 및 포토마스크를 제공한다.본 발명에 따른 위상반전 블랭크 마스크는 위상반전막이 50% 이상의 고투과율을 가짐에 따라 반도체 소자, 예를 들어, 디램(DRAM), 플래쉬 메모리(Flash Memory), 로직 디바이스(Logic Device)에 대해 32㎚급 이하, 특히, 14㎚급 이하, 바람직하게, 10㎚급 이하의 미세 패턴 구현이 가능하다.
투명 기판 상에 구비된 위상반전막을 포함하는 위상반전 블랭크 마스크에 있어서, 상기 위상반전막은 상기 투명 기판과 동일한 물질에 식각되고, 질소(N)를 포함하며, 상기 질소(N)는 상기 투명 기판에 대비하여 식각 종점 검출이 가능하고, ArF 노광광에 대하여 50% 이상의 투과율 확보가 가능하도록 1at% 초과 내지 20at% 미만의 함유량을 갖는 위상반전 블랭크 마스크.
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