초록 ▼

본 발명은 반도체 플라즈마 에칭 공정용 한정 링에 관한 것으로, 더욱 자세하게는 에칭장치의 챔버 내부에 구성되는 반도체 플라즈마 에칭 공정용 한정 링(10)에 있어서, 상기 한정 링(10)은, CVD-SiC 소재를 이용하여 원형의 형상을 취하며, 중앙부가 수직방향으로 관통되게 형성되고, 하부 가장자리에는 일정간격 상호 이격되는 다수의 슬롯(11)들이 장방형으로 형성되되, 상부에서 하부방향으로 갈수록 폭이 점차적으로 넓어지게 형성되며, 상기 한정 링(10)의 하부에 상기 슬롯(11)과 대응하되, 상기 슬롯(11)보다 더 큰 홀(21)

본 발명은 반도체 플라즈마 에칭 공정용 한정 링에 관한 것으로, 더욱 자세하게는 에칭장치의 챔버 내부에 구성되는 반도체 플라즈마 에칭 공정용 한정 링(10)에 있어서, 상기 한정 링(10)은, CVD-SiC 소재를 이용하여 원형의 형상을 취하며, 중앙부가 수직방향으로 관통되게 형성되고, 하부 가장자리에는 일정간격 상호 이격되는 다수의 슬롯(11)들이 장방형으로 형성되되, 상부에서 하부방향으로 갈수록 폭이 점차적으로 넓어지게 형성되며, 상기 한정 링(10)의 하부에 상기 슬롯(11)과 대응하되, 상기 슬롯(11)보다 더 큰 홀(21)을 갖는 쿼츠(Quartz) 링(20)을 구성하여, CVD-SiC로 단일 구성함으로 종래의 한정 링에 비하여 2배 이상의 수명을 가질 수가 있어 비용절감을 통해 경제적 효율성을 높일 수 있는 한편, 종래의 한정 링이 가지는 플라즈마 가스 확산 효율 저하 문제 및 파티클과 플라즈마 가스 배출 시 신속한 배출이 이루어져 에칭공정 상의 불량을 최소화할 수 있는 유용한 발명인 것이다.

대표청구항 ▼

에칭장치의 챔버 내부에 구성되는 반도체 플라즈마 에칭 공정용 한정 링(10)에 있어서,상기 한정 링(10)은,CVD-SiC 소재를 이용하여 원형의 형상을 취하며, 중앙부가 수직방향으로 관통되게 형성되고, 하부 가장자리에는 일정간격 상호 이격되는 다수의 슬롯(11)들이 장방형으로 형성되되, 상부에서 하부방향으로 갈수록 일측이 경사지게 형성되어 그 폭이 점차적으로 넓어지게 형성되며, 상기 한정 링(10)의 하부에 상기 슬롯(11)과 대응하되, 상기 슬롯(11)보다 더 큰 홀(21)을 갖는 쿼츠(Quartz) 링(20)을 구성하여, 상기

에칭장치의 챔버 내부에 구성되는 반도체 플라즈마 에칭 공정용 한정 링(10)에 있어서,상기 한정 링(10)은,CVD-SiC 소재를 이용하여 원형의 형상을 취하며, 중앙부가 수직방향으로 관통되게 형성되고, 하부 가장자리에는 일정간격 상호 이격되는 다수의 슬롯(11)들이 장방형으로 형성되되, 상부에서 하부방향으로 갈수록 일측이 경사지게 형성되어 그 폭이 점차적으로 넓어지게 형성되며, 상기 한정 링(10)의 하부에 상기 슬롯(11)과 대응하되, 상기 슬롯(11)보다 더 큰 홀(21)을 갖는 쿼츠(Quartz) 링(20)을 구성하여, 상기 에칭장치의 캐소드로부터 분사되는 플라즈마 가스의 확산 및 신속한 배출이 이루어지고,상기 한정 링(10)의 외측에는 일정간격 이격되는 하나 이상의 돌기(15)가 형성되고, 상기 쿼츠(Quartz) 링(20)의 내측에는 상기 돌기(15)와 대응하는 위치에 하나 이상의 슬라이드홀(25)이 형성되어, 상기 돌기(15)가 슬라이드홀(25)에 슬라이딩 결합을 통해 한정 링(10)의 슬롯(11)과 쿼츠(Quartz) 링(20)의 홀(21)이 동일선상에서 고정될 수 있도록 구성되는 것을 특징으로 하는 CVD-SiC 소재를 이용한 반도체 플라즈마 에칭 공정용 한정 링.