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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2019-0074397 (2019-06-21) | |
등록번호 | 10-2150515-0000 (2020-08-26) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020190074397 | |
발명자 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2019-06-21) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
본 발명은 CVD 방식을 이용하여 제조한 반도체 제조용 부품에 관한 것으로서, 본 발명의 일 측에 따르는 CVD 방식으로 형성된 SiC 구조체는, 챔버 내부에서 플라즈마에 노출되도록 이용되는 SiC 구조체에 있어서, 플라즈마에 최대로 노출되는 면에 수직한 방향을 제1 방향으로, 플라즈마에 최대로 노출되는 면에 수평한 방향을 제2 방향으로 정의할 때, 상기 제1 방향 길이가 상기 제2 방향 길이보다 길게 형성된 결정립 구조를 포함하는 것이다.
챔버 내부에서 플라즈마에 노출되도록 이용되는 SiC 구조체에 있어서,플라즈마에 최대로 노출되는 면에 수직한 방향을 제1 방향으로, 플라즈마에 최대로 노출되는 면에 수평한 방향을 제2 방향으로 정의할 때, 상기 제1 방향 길이가 상기 제2 방향 길이보다 길게 형성된 결정립 구조를 포함하고,상기 제1 방향의 저항율 / 상기 제2 방향의 저항율 값은, 0.05 내지 3.3이고,상기 결정립은 상기 제1 방향을 기준으로 -45° 내지 +45° 방향으로 최대 길이를 가지도록 배열된 것인,CVD 방식으로 형성된 SiC구조체.
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