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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2018-0053985 (2018-05-11) | |
공개번호 | 10-2018-0127197 (2018-11-28) | |
우선권정보 | 대한민국(KR) 1020170061656 (2017-05-18) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020180053985 | |
발명자 / 주소 | ||
출원인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2018-06-01) | |
심사진행상태 | 거절결정(일반) | |
법적상태 | 거절 |
본 발명은 흡수막을 2층 이상의 다층막으로 형성하고, 흡수막의 최상부층을 하부층에 대한 식각마스크로 사용함과 아울러, 실리콘(Si) 화합물로 형성함으로써 흡수막의 산화를 방지하여 흡수막의 특성을 안정적으로 유지할 수 있는 EUV용 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크를 제공한다. 또한, 웨이퍼 프린팅 시에 발생하는 흡수막의 자연 산화를 방지하여 흡수막의 특성이 변질되어 발생하는 결함을 방지할 수 있다.
투명 기판 상에 적어도 다층 반사막, 흡수막 및 레지스트막이 적층된 극자외선용 블랭크 마스크에 있어서,상기 흡수막은 2층 이상의 다층막으로 이루어지고, 상기 흡수막의 최상부층은 불소계(F) 물질에 식각되는 막으로 이루어지고, 상기 최상부층 하부의 적어도 1층 이상의 하부층은 염소계(Cl)계 물질에 식각되는 막으로 이루어진 극자외선용 블랭크 마스크.
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