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연합인증

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산화인듐-산화아연계 (IZO) 스퍼터링 타깃 및 그 제조 방법 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/등록특허
국제특허분류(IPC8판)
  • C23C-014/34
  • C04B-035/453
  • C04B-035/64
  • C23C-014/08
출원번호 10-2018-0077156 (2018-07-03)
공개번호 10-2018-0081686 (2018-07-17)
등록번호 10-1956506-0000 (2019-03-04)
우선권정보 일본(JP) JP-P-2016-071381 (2016-03-31)
DOI http://doi.org/10.8080/1020180077156
발명자 / 주소
  • 가케노 다카시 / 일본 이바라키켕 기타이바라키시 하나카와쵸 우스바 ***반치 * 제이엑스금속주식회사 이소하라고죠 나이
출원인 / 주소
  • 제이엑스금속주식회사 / 일본 도쿄도 지요다쿠 오테마치 *쵸메 *방 *고
대리인 / 주소
  • 특허법인코리아나
심사청구여부 있음 (2018-07-03)
심사진행상태 등록결정(재심사후)
법적상태 등록

초록

In, Zn, O 로 이루어지는 스퍼터링 타깃으로서, Zn 과 In 의 원자비가 0.05 ≤ Zn/(In + Zn) ≤ 0.30 을 만족시키고, 그 타깃의 스퍼터 면에 있어서의 벌크 저항률의 표준 편차가 0.1 mΩ·㎝ 이하인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타깃. 소결체의 휨이 적고, 휨 저감을 위한 연삭에 의한 벌크 저항률의 면내 편차가 억제된 산화인듐-산화아연계 산화물 (IZO) 소결체 타깃의 제조 방법을 제공한다.

대표청구항

원료 분말을 프레스 성형한 성형체를 소결하여 제조되는 IZO 소결체로 이루어지는 스퍼터링 타깃의 제조 방법으로서,실온으로부터 소결 온도까지 승온시키는 공정에 있어서, 도중 유지 온도를 600 ∼ 700 ℃ 로 하고, 4 ∼ 5 시간 유지하는 공정, 당해 도중 유지 온도로부터 소결 온도까지 0.2 ∼ 2.0 ℃/min 로 승온시키는 공정, 소결 온도를 1350 ∼ 1500 ℃ 로 하고, 소결 유지 시간을 1 ∼ 100 시간으로 소결하는 공정으로 이루어지고, 얻어지는 스퍼터링 타깃이, In, Zn, O 로 이루어지고, Zn 과 In 의

이 특허에 인용된 특허 (3)

  1. [일본] METHOD FOR MANUFACTURING OXIDE SINTERED COMPACT, METHODS FOR MANUFACTURING OXIDE SINTERED COMPACT, SPUTTERING TARGET, OXIDE THIN FILM AND THIN FILM TRANSISTOR, AND SEMICONDUCTOR DEVICE | UTSUNO FUTOSHI, YANO KIMINORI, INOUE KAZUYOSHI
  2. [일본] METHOD FOR MANUFACTURING InZnO BASED SPUTTERING TARGET | WADA MASARU, RINOEN KAORU, KAWAGOE YUTAKA, TAKAHASHI KAZUHISA, TODA HIROYUKI, NAGAYAMA SATSUKI, TAKESUE KENTARO
  3. [일본] SPUTTERING TARGET AND PRODUCTION METHOD THEREOF | KONDO YUICHI, UMEMOTO KEITA, CHO SHUHIN
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