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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2018-0115949 (2018-09-28) | |
공개번호 | 10-2020-0036378 (2020-04-07) | |
등록번호 | 10-2111754-0000 (2020-05-11) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020180115949 | |
발명자 / 주소 | ||
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2018-09-28) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
본 발명의 일 관점에 의하면, 기판 표면의 적어도 일부 영역에 자기조립단분자막을 형성하는 단계; 및 상기 자기조립단분자막이 형성된 영역 상에 주석 칼코게나이드 2차원 박막을 형성하는 단계를 포함하는 주석 칼코게나이드 2차원 박막 형성방법이 제공된다. 본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 주석 칼코게나이드 2차원 박막을 형성하는 단계는 기판의 온도가 90℃ 내지 300℃의 범위에서 수행될 수 있다.
기판 표면의 적어도 일부 영역에 자기조립단분자막을 형성하는 단계; 및상기 자기조립단분자막이 형성된 영역 상에 주석 칼코게나이드 2차원 박막을 형성하는 단계를 포함하고,상기 주석 칼코게나이드 2차원 박막을 형성하는 단계는 기판의 온도가 90℃ 내지 300℃의 범위에서 수행되는,주석 칼코게나이드 2차원 박막 형성방법.
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