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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2018-0122540 (2018-10-15) | |
공개번호 | 10-2020-0042224 (2020-04-23) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020180122540 | |
발명자 / 주소 | ||
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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법적상태 | 공개 |
본 발명은 양극재의 분석방법에 관한 것으로, 본 발명에 따르면 ICP로 측정이 어려운 ppm 단위의 미량의 물질을 분석할 수 있다. 따라서, 양극재 내에 잔류하는 불순물의 정량 분석을 용이하게 실시할 수 있으며, 결과값의 정밀도 및 회수율을 향상시킬 수 있다.
전지의 양극재에 존재하는 불순물 함량의 분석방법으로,1) 상기 양극재에 황산을 첨가하는 단계 또는 상기 양극재에 염산을 첨가하는 단계;2) 상기 1)에 따른 시료를 물로 희석시키는 단계 및3) 상기 2)에 따른 희석액을 이온 크로마토그래피(IC)로 전개시키는 단계를 포함하는, 양극재 분석방법.
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