초록 ▼

본 발명의 과제는 60㎚ 이하의 막 두께에서 EUV광의 반사율을 2％ 이하로 억제하여, 마스크 가공이 용이한 반사형 마스크 블랭크를 제공하는 것이다.본 발명은, 기판(11) 위에 EUV광을 반사하는 다층 반사막(12)과, 마스크 가공 시에 부분적으로 에칭되는 패턴막(16)을, 기판측으로부터 이 순서로 구비하는 바이너리형의 반사형 마스크 블랭크(10)이며, 상기 패턴막(16)은 EUV광을 흡수하는 흡수체막(14)과, 표면 반사 증강막(15)을, 기판측으로부터 이 순서로 구비하고 있고, 파장 13.53㎚에 있어서의, 상기 흡수체막(14

본 발명의 과제는 60㎚ 이하의 막 두께에서 EUV광의 반사율을 2％ 이하로 억제하여, 마스크 가공이 용이한 반사형 마스크 블랭크를 제공하는 것이다.본 발명은, 기판(11) 위에 EUV광을 반사하는 다층 반사막(12)과, 마스크 가공 시에 부분적으로 에칭되는 패턴막(16)을, 기판측으로부터 이 순서로 구비하는 바이너리형의 반사형 마스크 블랭크(10)이며, 상기 패턴막(16)은 EUV광을 흡수하는 흡수체막(14)과, 표면 반사 증강막(15)을, 기판측으로부터 이 순서로 구비하고 있고, 파장 13.53㎚에 있어서의, 상기 흡수체막(14)의 굴절률을 nABS, 흡수 계수를 kABS라고 하고, 상기 표면 반사 증강막(15)의 굴절률을 n, 흡수 계수를 k라고 했을 때, ((n－1)2＋k2)1/2>((nABS－1)2＋kABS2)1/2＋0.03으로 나타나는 조건을 만족시키는 것을 특징으로 하는 반사형 마스크 블랭크이다.

대표청구항 ▼

기판 위에 EUV광을 반사하는 다층 반사막과, 마스크 가공 시에 부분적으로 에칭되는 패턴막을, 기판측으로부터 이 순서로 구비하는 바이너리형의 반사형 마스크 블랭크이며,상기 패턴막은, EUV광을 흡수하는 흡수체막과, 표면 반사 증강막을, 기판측으로부터 이 순서로 구비하고 있고,EUV광에 대한 상기 패턴막의 반사율이 2% 이하이고,파장 13.53㎚에 있어서의, 상기 흡수체막의 굴절률을 nABS, 흡수 계수를 kABS라고 하고, 상기 표면 반사 증강막의 굴절률을 n, 흡수 계수를 k라고 했을 때, ((n－1)2＋k2)1/2>((nA

기판 위에 EUV광을 반사하는 다층 반사막과, 마스크 가공 시에 부분적으로 에칭되는 패턴막을, 기판측으로부터 이 순서로 구비하는 바이너리형의 반사형 마스크 블랭크이며,상기 패턴막은, EUV광을 흡수하는 흡수체막과, 표면 반사 증강막을, 기판측으로부터 이 순서로 구비하고 있고,EUV광에 대한 상기 패턴막의 반사율이 2% 이하이고,파장 13.53㎚에 있어서의, 상기 흡수체막의 굴절률을 nABS, 흡수 계수를 kABS라고 하고, 상기 표면 반사 증강막의 굴절률을 n, 흡수 계수를 k라고 했을 때, ((n－1)2＋k2)1/2>((nABS－1)2＋kABS2)1/2＋0.03으로 나타나는 조건을 만족시키는 것을 특징으로 하는 반사형 마스크 블랭크.