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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2019-0020956 (2019-02-22) | |
공개번호 | 10-2020-0035821 (2020-04-06) | |
등록번호 | 10-2288341-0000 (2021-08-04) | |
우선권정보 | 미국(US) 62/736,678 (2018-09-26);미국(US) 16/194,663 (2018-11-19) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020190020956 | |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2019-02-22) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
본 개시는 딥 트렌치 격리(DTI) 구조체 상에 픽셀 디바이스를 가진 CMOS 이미지 센서 및 이와 연관된 형성 방법에 관한 것이다.일부 실시형태에서, 딥 트렌치 격리(DTI) 구조체는 픽셀 영역의 주변에 배치되고, 기판의 후방 측부로부터 기판 내의 위치로 연장된다.픽셀 디바이스는 DTI 구조체 바로 위에 놓이는 기판의 전방 측부에 배치된다.픽셀 디바이스는 기판 내에 배치되고, DTI 구조체의 상부 표면에 도달하는 한쌍의 소스/드레인(S/D) 영역을 포함한다.DTI 구조체 바로 위에 놓인 개시된 픽셀 디바이스를 형성함으로써, 픽셀
CMOS 이미지 센서로서,전방 측부 및 상기 전방 측부에 반대편인 후방 측부를 가진 기판;상기 기판 내에 배치되고, 상기 후방 측부로부터 상기 기판으로 들어가는 방사선을 전기 신호로 변환하도록 구성된 P-N 접합 포토다이오드를 포함하는 픽셀 영역;상기 픽셀 영역의 주변에 배치되고, 상기 기판의 후방 측부로부터 상기 기판 내의 위치로 연장되는 제1 트렌치 격리 구조체; 및상기 제1 트렌치 격리 구조체 바로 위에 놓이는 상기 기판의 전방 측부에 배치되는 픽셀 디바이스를 포함하고,상기 픽셀 디바이스는, 상기 기판 위에 배치된 게이트 전극
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