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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 공개 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | 16601915 (2019-10-15) |
공개번호 | 20200123679 (2020-04-23) |
우선권정보 | JP-2018-195741 (2018-10-17) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 0 |
The invention provides a SiC single crystal production apparatus with high uniformity of temperature distribution in a crystal growth vessel. The SiC single crystal production apparatus includes a crystal growth vessel containing SiC raw material; an insulation part covering the periphery of the cry
1. A SiC single crystal production apparatus, comprising: a crystal growth vessel containing a SiC raw material;an insulation part covering the periphery of the crystal growth vessel;a heater used to heat the crystal growth vessel; anda holding member used to hold the crystal growth vessel,wherein t
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