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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | 16196246 (2018-11-20) |
등록번호 | 10801128 (2020-10-13) |
우선권정보 | JP-2017-225658 (2017-11-24) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 0 |
A SiC epitaxial growth apparatus includes: a susceptor having a mounting surface on which a wafer is placable; a heater which is provided apart from the susceptor on a side opposite to the mounting surface of the susceptor; and an annular radiation member which is in contact with a back surface of t
1. A SiC epitaxial growth apparatus comprising: a susceptor having a mounting surface on which a wafer is placable;a heater which is provided apart from the susceptor on a side opposite to the mounting surface of the susceptor; andan annular radiation member which is in contact with a back surface o
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