초록 ▼

산화물 트렌치 디싱(dishing)을 감소시키고 과잉 연마 윈도우 안정성을 향상시키는 화학 기계적 평탄화(CMP: Chemical mechanical planarization) 연마 조성물, 방법 및 시스템이 제공된다. 높고 조정 가능한 실리콘 산화물 제거 속도, 낮은 실리콘 질화물 제거 속도, 및 조정 가능한 SiO2:SiN 선택비 또한 제공된다. 조성물은 세리아 코팅된 실리카 입자와 같은 연마제와; 산화물 트렌치 디싱 감소 첨가제로서 말티톨, 락티톨, 말토트리톨, 리비톨, D-소르비톨, 만니톨, 둘시톨, 이디톨, D-(-)-프룩

산화물 트렌치 디싱(dishing)을 감소시키고 과잉 연마 윈도우 안정성을 향상시키는 화학 기계적 평탄화(CMP: Chemical mechanical planarization) 연마 조성물, 방법 및 시스템이 제공된다. 높고 조정 가능한 실리콘 산화물 제거 속도, 낮은 실리콘 질화물 제거 속도, 및 조정 가능한 SiO2:SiN 선택비 또한 제공된다. 조성물은 세리아 코팅된 실리카 입자와 같은 연마제와; 산화물 트렌치 디싱 감소 첨가제로서 말티톨, 락티톨, 말토트리톨, 리비톨, D-소르비톨, 만니톨, 둘시톨, 이디톨, D-(-)-프룩토오스, 소르비탄, 수크로오스, 리보오스, 이노시톨, 글루코오스, D-아라비노오스, L-아라비노오스, D-만노오스, L-만노오스, 메소-에리트리톨, 베타-락토오스, 아라비노오스, 또는 이들의 조합과 같은 화학 첨가제와의 고유한 조합을 사용한다.

대표청구항 ▼

화학 기계적 연마(CMP: chemical Mechanical Polishing) 조성물로서,세리아 코팅된 콜로이드 실리카 입자, 세리아 코팅된 고순도 콜로이드 실리카 입자, 세리아 코팅된 알루미나 입자, 세리아 코팅된 티타니아 입자, 세리아 코팅된 지르코니아 입자, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 세리아 코팅된 무기 산화물 입자,세리아 코팅된 폴리스티렌 입자, 세리아 코팅된 폴리우레탄 입자, 세리아 코팅된 폴리아크릴레이트 입자, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 세리아 코팅된 유기 중합체 입자, 및이들의

화학 기계적 연마(CMP: chemical Mechanical Polishing) 조성물로서,세리아 코팅된 콜로이드 실리카 입자, 세리아 코팅된 고순도 콜로이드 실리카 입자, 세리아 코팅된 알루미나 입자, 세리아 코팅된 티타니아 입자, 세리아 코팅된 지르코니아 입자, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 세리아 코팅된 무기 산화물 입자,세리아 코팅된 폴리스티렌 입자, 세리아 코팅된 폴리우레탄 입자, 세리아 코팅된 폴리아크릴레이트 입자, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 세리아 코팅된 유기 중합체 입자, 및이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 연마 입자;화학 첨가제;탈이온(DI: deionized)수, 증류수, 및 알코올성 유기 용매로 이루어진 군으로부터 선택된 용매; 및 경우에 따라 살생물제; 및 pH 조절제를 포함하며;상기 조성물은 2 내지 12의 pH를 가지며;상기 화학 첨가제는 하기 (A) 및 (B)로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 화학 기계적 연마(CMP) 조성물: (A) 분자 구조 (a):[상기에서, R1, R2, R3, R4 및 R5(R1 내지 R5의 기에서 R)은 하기 (1) 및 (2)로 이루어진 군으로부터 선택되며;(1) (i) R1 내지 R5의 기에서 적어도 하나의 R은 하기 (b)에 나타낸 구조를 갖는 폴리올 분자 단위이며;상기에서, m 및 n은 독립적으로 1 내지 5로부터 선택되며; R6, R7, R8 및 R9 각각은 독립적으로 수소, 알킬, 알콕시, 하나 이상의 히드록실 기를 갖는 유기 기, 치환된 유기 술폰산 또는 염, 치환된 유기 카복실산 또는 염, 유기 카복실산 에스테르, 유기 아민, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되며;(ii) R1 내지 R5의 기에서 나머지 R 각각은 독립적으로 수소, 알킬, 알콕시, 하나 이상의 히드록실 기를 갖는 유기 기, 치환된 유기 술폰산 또는 염, 치환된 유기 카복실산 또는 염, 유기 카복실산 에스테르, 유기 아민, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되며; (2) (i) R1 내지 R5의 기에서 적어도 하나의 R은 하기 (b)에 나타낸 구조를 갖는 폴리올 분자 단위이며;상기에서, m 또는 n은 독립적으로 1 내지 5로부터 선택되며; R6, R7, R8 및 R9 각각은 독립적으로 수소, 알킬, 알콕시, 하나 이상의 히드록실 기를 갖는 유기 기, 치환된 유기 술폰산 또는 염, 치환된 유기 카복실산 또는 염, 유기 카복실산 에스테르, 유기 아민, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되며;(ii) R1 내지 R5의 기에서 적어도 하나의 R은 하기 (c)에 나타낸 6원 고리 폴리올이며;상기에서, OR11, OR12, OR13, 및 OR14의 기에서 OR 중 하나는 구조 (a)에서 O에 의해 치환되며; R10, 및 R11, R12, R13 및 R14의 기에서 다른 R 각각은 독립적으로 수소, 알킬, 알콕시, 하나 이상의 히드록실 기를 갖는 유기 기, 치환된 유기 술폰산 또는 염, 치환된 유기 카복실산 또는 염, 유기 카복실산 에스테르, 유기 아민, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되며;(iii) R1 내지 R5의 기에서 나머지 R 각각은 독립적으로 수소, 알킬, 알콕시, 하나 이상의 히드록실 기를 갖는 유기 기, 치환된 유기 술폰산 또는 염, 치환된 유기 카복실산 또는 염, 유기 카복실산 에스테르, 유기 아민, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된다.](B) 하기 적어도 하나의 (d), 적어도 하나의 (e), 적어도 하나의 (f), 적어도 하나의 (g), 적어도 하나의 (h), 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 분자 구조:[상기에서, n은 3 내지 12로부터 선택되며;R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7, R8, R9, R10, R11, R12, R13, 및 R14는 동일하거나 상이한 원자 또는 작용기일 수 있으며; 각 R은 독립적으로 수소, 산소, 알킬, 알콕시, 하나 이상의 히드록실 기를 갖는 유기 기, 치환된 유기 술폰산, 치환된 유기 술폰산 염, 치환된 유기 카복실산, 치환된 유기 카복실산 염, 유기 카복실산 에스테르, 유기 아민 기, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되며; 이들 중 적어도 4개는 수소 원자이다.]