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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2019-0094927 (2019-08-05) | |
공개번호 | 10-2020-0041247 (2020-04-21) | |
등록번호 | 10-2231296-0000 (2021-03-17) | |
우선권정보 | 대한민국(KR) 1020180121261 (2018-10-11) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020190094927 | |
발명자 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2019-08-05) | |
심사진행상태 | 등록결정(재심사후) | |
법적상태 | 등록 |
본 발명의 유기금속 전구체 화합물 및 이를 이용한 유기금속 함유 박막 제조방법은 높은 휘발성, 우수한 화학적·열적 안정성을 만족함과 동시에 낮은 온도에서도 현저히 향상된 박막 증착 속도를 가진다. 또한, 반도체 장치 내의 유전박막을 형성하는데 사용될 수 있는 유기금속 전구체 화합물을 제공하여 부산물에 의한 특성 저하가 개선된 유기금속 함유 및/또는 금속 함유 박막을 제조할 수 있다.
하기 화학식 1로 표시되는 반도체용 박막 형성용유기금속 전구체 화합물.[화학식 1]상기 화학식 1에서, M은 몰리브덴(Mo)이며, X가 N일 때, R1은 -CH2CH2CH2CH2CH2CH2-이고, R2는 C1~3의 직쇄형 알킬기이며, R3 및 R4는 -C(CH3)3; 이거나, X가 N일 때, R1은 -CH2CH2-이고, R2는 C1~3의 직쇄형 알킬기이며, R3 및 R4는 -C(CH3)3; 이며,X가 인원자(P), 비소원자(As) 또는 일 때, R1은 -CH2CH2-이고, R2는 C1~3의 직쇄형 알킬기이며, R3 및 R4는 -C
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