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| 국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 | |
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| 국제특허분류(IPC8판) |
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| 출원번호 | 10-2020-0034464 (2020-03-20) | |
| 공개번호 | 10-2021-0117774 (2021-09-29) | |
| DOI | http://doi.org/10.8080/1020200034464 | |
| 발명자 / 주소 | ||
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| 대리인 / 주소 |
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| 법적상태 | 공개 |
본 발명은 고분자 화합물, 특정 화학식의 첨가제 및 용제를 포함하는 반도체 기판 세정용 조성물에 관한 것으로, 본 발명에 따른 반도체 기판 세정용 조성물은 반도체 기판 상에 도포하여 도막을 형성한 후 이를 수세하는 비교적 간단한 공정을 통해, 기판 상에 형성된 미세 패턴 및 구조물 등의 손상 없이 초미립자 등의 오염물질을 손쉽게 제거할 수 있으며, 특히, 특정 첨가제를 포함함에 따라 초미립자 등의 오염물질 제거효율 및 형성된 도막의 세정효율이 우수하며, 형성된 도막의 세정시간이 감소되는 효과를 갖는다. 따라서, 미세 패턴이 형성된
고분자 화합물, 하기 화학식 1로 표시되는 첨가제, 및 용제를 포함하는 반도체 기판 세정용 조성물.[화학식 1](상기 화학식 1에서, R1은 수소원자, 또는 히드록시기, -NR4R5 또는 카르복실기로 치환되거나 치환되지 않은 탄소수 1 내지 5의 알킬기이고,R2는 히드록시기, -NR4R5 또는 -R6COOH이고,R3은 에틸렌기 또는 프로필렌기이고,R4 및 R5는 각각 독립적으로, 수소원자 또는 탄소수 1 내지 5의 알킬기이고,R6은 직접결합 또는 탄소수 1 내지 5의 알킬렌기이고,n은 1 내지 25의 정수이고, n이 2 이상의 정수
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