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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2020-0078137 (2020-06-26) | |
공개번호 | 10-2022-0000462 (2022-01-04) | |
등록번호 | 10-2405460-0000 (2022-05-31) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020200078137 | |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2020-06-26) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
본 발명은 초단파 펄스 레이저 미세 가공을 이용한 반도체 다이 형성 방법 및 패키징 방법을 개시한다. 본 발명의 반도체 다이 형성 방법은, 반도체 기판이 포함된 웨이퍼를 준비하고, 상기 반도체 기판 상에 저유전 절연막을 형성한다. 그리고 상기 저유전 절연막 상에 금속 패드와 상기 금속 패드 상에 패시베이션 막을 형성하고, 상기 패시베이션 막을 패터닝한다. 이후 초단파 펄스 레이저를 이용하여 상기 저유전 절연막을 레이저 그루빙 한 다음 기계적 소잉(sawing)에 의해 상기 반도체 기판을 절단하여 상기 반도체 다이를 형성한다. 그리고
반도체 기판이 포함된 웨이퍼를 준비하는 단계;상기 반도체 기판 상에 저유전 절연막을 형성하는 단계;상기 저유전 절연막 상에 금속 패드를 형성하는 단계;상기 금속 패드 상에 패시베이션 막을 형성하는 단계;상기 패시베이션 막을 패터닝하는 단계;초단파 펄스 레이저를 이용하여 상기 저유전 절연막을 레이저 그루빙 하는 단계; 및기계적 소잉(sawing)에 의해 상기 반도체 기판을 절단하여 반도체 다이를 형성하는 단계를 포함하고,상기 저유전 절연막을 레이저 그루빙 하는 단계는스크라이브 영역의 가장 자리를 제1 파워로 레이저 그루빙하여 제1 그
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