[특허]초단파 펄스 레이저 미세 가공을 이용한 반도체 다이 형성 방법 및 패키징 방법

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초단파 펄스 레이저 미세 가공을 이용한 반도체 다이 형성 방법 및 패키징 방법 원문보기

IPC분류정보
국가/구분	한국(KR)/등록특허	크게보기
국제특허분류(IPC8판)	H01L-023/495 H01L-023/498
출원번호	10-2020-0078137 (2020-06-26)
공개번호	10-2022-0000462 (2022-01-04)
등록번호	10-2405460-0000 (2022-05-31)
DOI	http://doi.org/10.8080/1020200078137
발명자 / 주소	정진원 / 서울특별시 강서구 공항대로길 , 동 호 (등촌동, 대림아파트) 최재식 / 충청북도 청주시 서원구 예체로 , 동 *호 (사직동, 청주푸르지오캐슬아파트) 송병수 / 세종특별자치시 달빛로 *, 동 **호 (아름동, 범지기마을아파트)
출원인 / 주소	매그나칩 반도체 유한회사 / 충청북도 청주시 흥덕구 직지대로*번길 (송정동)
대리인 / 주소	김종선; 이형석
심사청구여부	있음 (2020-06-26)
심사진행상태	등록결정(일반)
법적상태	등록

초록 ▼

본 발명은 초단파 펄스 레이저 미세 가공을 이용한 반도체 다이 형성 방법 및 패키징 방법을 개시한다. 본 발명의 반도체 다이 형성 방법은, 반도체 기판이 포함된 웨이퍼를 준비하고, 상기 반도체 기판 상에 저유전 절연막을 형성한다. 그리고 상기 저유전 절연막 상에 금속 패드와 상기 금속 패드 상에 패시베이션 막을 형성하고, 상기 패시베이션 막을 패터닝한다. 이후 초단파 펄스 레이저를 이용하여 상기 저유전 절연막을 레이저 그루빙 한 다음 기계적 소잉(sawing)에 의해 상기 반도체 기판을 절단하여 상기 반도체 다이를 형성한다. 그리고

대표청구항 ▼

반도체 기판이 포함된 웨이퍼를 준비하는 단계;상기 반도체 기판 상에 저유전 절연막을 형성하는 단계;상기 저유전 절연막 상에 금속 패드를 형성하는 단계;상기 금속 패드 상에 패시베이션 막을 형성하는 단계;상기 패시베이션 막을 패터닝하는 단계;초단파 펄스 레이저를 이용하여 상기 저유전 절연막을 레이저 그루빙 하는 단계; 및기계적 소잉(sawing)에 의해 상기 반도체 기판을 절단하여 반도체 다이를 형성하는 단계를 포함하고,상기 저유전 절연막을 레이저 그루빙 하는 단계는스크라이브 영역의 가장 자리를 제1 파워로 레이저 그루빙하여 제1 그

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특허정보
IPC	Description
A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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