초록 ▼

본 발명은 정전척에 사용하는 도전성 리프트 핀, 이를 포함하는 정전척 및 이들을 이용한 반도체 생산방법에 관한 것이다. 본 발명에서는, Al2O3상에 TiC상이 분산되어 있는 AlTiC를 소재로 포함하고 전기저항률이 2.5×10-5 에서 3.5×10-5Ω·m인 도전성 정전척 리프트 핀과 이 리프트 핀이 장착된 정전척이 제공된다. 본 발명의 정전척 리프트 핀은 기존 부도체 세라믹을 사용할 때 부품과 부도체 세라믹과의 접촉에 의해 발생하는 정전기 및 전기반응에 따른 결함의 문제를 해소할 수 있고, 도전성을 띰으로써 플라즈마가 없는 상태

본 발명은 정전척에 사용하는 도전성 리프트 핀, 이를 포함하는 정전척 및 이들을 이용한 반도체 생산방법에 관한 것이다. 본 발명에서는, Al2O3상에 TiC상이 분산되어 있는 AlTiC를 소재로 포함하고 전기저항률이 2.5×10-5 에서 3.5×10-5Ω·m인 도전성 정전척 리프트 핀과 이 리프트 핀이 장착된 정전척이 제공된다. 본 발명의 정전척 리프트 핀은 기존 부도체 세라믹을 사용할 때 부품과 부도체 세라믹과의 접촉에 의해 발생하는 정전기 및 전기반응에 따른 결함의 문제를 해소할 수 있고, 도전성을 띰으로써 플라즈마가 없는 상태에서도 반도체 웨이퍼와 정전척 사이의 잔류전하를 리프트 핀에 의해 방출할 수 있다. 따라서, 디처킹한 후 리프트 핀을 바로 상승시킬 수 있어 웨이퍼 장당 처리시간을 줄일 수 있으므로, 반도체의 생산성을 크게 높일 수 있다.

대표청구항

Al2O3상에 TiC상이 40~80:20~60의 중량비로 분산되어 있는 AlTiC를 소재로 포함하고 전기저항률이 2.5×10-5 에서 3.5×10-5Ω·m인 도전성 정전척 리프트 핀.

Al2O3상에 TiC상이 40~80:20~60의 중량비로 분산되어 있는 AlTiC를 소재로 포함하고 전기저항률이 2.5×10-5 에서 3.5×10-5Ω·m인 도전성 정전척 리프트 핀.