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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2020-0166280 (2020-12-02) | |
공개번호 | 10-2020-0142482 (2020-12-22) | |
등록번호 | 10-2201924-0000 (2021-01-06) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020200166280 | |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2020-12-02) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
도핑층의 성장이 끝남과 동시에 질소분위기의 성장 환경 그대로 인-시츄 어닐링(In-situ annealing)을 수행하여 성장된 에피 내 격자의 재배열(rearrangement) 효과와 동시에 도펀트 활성화 효과를 극대화시킨 도펀트 활성화 기술을 이용한 전력반도체용 갈륨옥사이드 박막 제조 방법에 대하여 개시한다.본 발명에 따른 도펀트 활성화 기술을 이용한 전력반도체용 갈륨옥사이드 박막 제조 방법은 (a) 기판 상에 버퍼층을 형성하는 단계; (b) 상기 버퍼층 상에 에피 성장으로 알파 갈륨옥사이드 박막을 성장시키면서 도핑 처리를 실시
(a) 기판 상에 버퍼층을 형성하는 단계; (b) 상기 버퍼층 상에 에피 성장으로 알파 갈륨옥사이드 박막을 성장시키면서 도핑 처리를 실시하여 도핑층을 형성하는 단계; 및 (c) 상기 도핑층의 형성이 종료됨과 동시에 상온에 노출되는 것 없이 연속적으로 도핑 가스 없이 N2 또는 Ar 가스 분위기에서 어닐링하는 인-시츄 어닐링(in-situ annealing)을 수행하는 단계;를 포함하며, 상기 (b) 단계에서, 상기 도핑 온도는 400 ~ 800℃이고, 상기 도핑 처리는 SiH4 2,000ppm 가스를 이용하여 5 ~ 20sccm을
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