초록 ▼

본 발명은, 마그네트론 스퍼터링에 의해 성막을 실시할 때에 스퍼터링 타깃의 외주부에 있어서 비이로전 영역의 발생을 억제할 수 있는 기술을 제공한다. 본 발명은, 진공 중에 있어서 마그네트론 스퍼터링법에 의해 하나의 성막 대상물에 대해 성막을 실시하는 스퍼터 성막 장치이다. 본 발명에서는, 하나의 스퍼터링 타깃 (7) 에 대해 스퍼터면 (7a) 과 반대측에 배치되고, 방전시에 당해 스퍼터링 타깃 (7) 의 스퍼터면 (7a) 을 따르는 방향으로 이동하는 마그네트론 발생용의 자석 장치 (10) 와, 스퍼터링 타깃 (7) 의 외주부의 주위

본 발명은, 마그네트론 스퍼터링에 의해 성막을 실시할 때에 스퍼터링 타깃의 외주부에 있어서 비이로전 영역의 발생을 억제할 수 있는 기술을 제공한다. 본 발명은, 진공 중에 있어서 마그네트론 스퍼터링법에 의해 하나의 성막 대상물에 대해 성막을 실시하는 스퍼터 성막 장치이다. 본 발명에서는, 하나의 스퍼터링 타깃 (7) 에 대해 스퍼터면 (7a) 과 반대측에 배치되고, 방전시에 당해 스퍼터링 타깃 (7) 의 스퍼터면 (7a) 을 따르는 방향으로 이동하는 마그네트론 발생용의 자석 장치 (10) 와, 스퍼터링 타깃 (7) 의 외주부의 주위에 근접 배치되고 부유 전위로 된 내측 실드부 (21) 와, 당해 내측 실드부 (21) 의 주위에 형성되고 접지 전위로 된 도전성 재료로 이루어지는 외측 실드부 (22) 를 갖는다.

대표청구항 ▼

진공 중에 있어서 마그네트론 스퍼터링법에 의해 하나의 성막 대상물에 대해 성막을 실시하는 스퍼터 성막 장치로서,하나의 스퍼터링 타깃에 대해 스퍼터면과 반대측에 배치되고, 방전시에 당해 스퍼터링 타깃의 스퍼터면을 따르는 방향으로 이동하는 마그네트론 발생용 자석 장치와,상기 스퍼터링 타깃의 외주부의 주위에, 상기 외주부와 대향하여 형성되고 접지 전위로 된 도전성 재료로 이루어지는 어스 실드로서의 외측 실드부와,상기 외측 실드부와 상기 스퍼터링 타깃 사이에 배치되고, 상기 스퍼터링 타깃의 외주부의 주위에 근접 배치되고 부유 전위로 된 내

진공 중에 있어서 마그네트론 스퍼터링법에 의해 하나의 성막 대상물에 대해 성막을 실시하는 스퍼터 성막 장치로서,하나의 스퍼터링 타깃에 대해 스퍼터면과 반대측에 배치되고, 방전시에 당해 스퍼터링 타깃의 스퍼터면을 따르는 방향으로 이동하는 마그네트론 발생용 자석 장치와,상기 스퍼터링 타깃의 외주부의 주위에, 상기 외주부와 대향하여 형성되고 접지 전위로 된 도전성 재료로 이루어지는 어스 실드로서의 외측 실드부와,상기 외측 실드부와 상기 스퍼터링 타깃 사이에 배치되고, 상기 스퍼터링 타깃의 외주부의 주위에 근접 배치되고 부유 전위로 된 내측 실드부를 갖고,상기 내측 실드부는, 상기 마그네트론 발생용 자석 장치에 의한 자장에 포착되는 플라즈마 중의 이온의 전하가 상기 외측 실드부에 도달하여 접촉하는 것을 차폐하는, 스퍼터 성막 장치.