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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2021-0024577 (2021-02-24) | |
공개번호 | 10-2022-0120864 (2022-08-31) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020210024577 | |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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법적상태 | 공개 |
본 발명은 (A) 연마입자, (B) 분산제, (C) 보조 분산제, (D) 비이온 첨가제, (E) pH 조절제 및 (F) 잔량의 초순수를 포함하고, 상기 (B) 분산제는 방향족 고리와 하나 이상의 카르복시기 (-COOH)를 포함하는 유기산 화합물을 포함하며, 상기 (E) pH 조절제는 하나 이상의 하이드록시기(-OH)와 하나의 카르복시기(-COOH)를 가지는 유기 화합물을 포함함으로써, 실리콘 산화막에 대한 연마 또는 평탄화 공정 시에 디싱 및 스크래치 발생량을 감소시킬 수 있는 실리콘 산화막 연마용 CMP 슬러리 조성물에 관한 것이
(A) 연마입자, (B) 분산제, (C) 보조 분산제, (D) 비이온 첨가제, (E) pH 조절제 및 (F) 잔량의 초순수를 포함하고,상기 (B) 분산제는 방향족 고리와 하나 이상의 카르복시기 (-COOH)를 포함하는 유기산 화합물을 포함하며,상기 (E) pH 조절제는 하나 이상의 하이드록시기(-OH)와 하나의 카르복시기(-COOH)를 가지는 유기 화합물을 포함하는 실리콘 산화막 연마용 CMP 슬러리 조성물.
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