초록 ▼

DRAM의 공정 미세화, 고집적화로 인해 DRAM Capacitor의 유효 단면적이 줄어들고 있다. 이로 인한 정전용량의 감소를 해결하기 위해 현재 양산되고 있는 DRAM Capacitor의 ZAZ 유전막에 고유전율(High k) 물질의 적용하고자 한다. 기존 ZAZ 유전막에서 상/하부전극막인 TiN 막질은 스퍼터 공정을 이용해 증착하고 ZrO2와 Al2O3 막은 그대로 사용하되 ZrO2 막질 대신 TiO2 유전막을 원자층 증착법을 통하여 유전체를 형성하였다. 상부 유전층을 High k 물질인 TiO2를 적용하여 TiN-ZAT(Zr

DRAM의 공정 미세화, 고집적화로 인해 DRAM Capacitor의 유효 단면적이 줄어들고 있다. 이로 인한 정전용량의 감소를 해결하기 위해 현재 양산되고 있는 DRAM Capacitor의 ZAZ 유전막에 고유전율(High k) 물질의 적용하고자 한다. 기존 ZAZ 유전막에서 상/하부전극막인 TiN 막질은 스퍼터 공정을 이용해 증착하고 ZrO2와 Al2O3 막은 그대로 사용하되 ZrO2 막질 대신 TiO2 유전막을 원자층 증착법을 통하여 유전체를 형성하였다. 상부 유전층을 High k 물질인 TiO2를 적용하여 TiN-ZAT(ZrO2/Al2O3/TiO2)-TiN 구조로 형성하여 고유전율(High k) 물질 사용으로 ZAZ 유전막을 사용했을 때보다 누설전류 특성을 얻을 수 있으며 더 충분한 정전용량을 확보할 수 있을 것이다.

대표청구항

ZrO2 막;상기 ZrO2막 상에 형성되고 적어도 Al2O3막보다 유전상수가 큰 유전막이 도핑된 알루미늄산화막;및 상기 알루미늄산화막 상에 형성된 TiO2화막을 포함하는 Capacitor의 유전막

ZrO2 막;상기 ZrO2막 상에 형성되고 적어도 Al2O3막보다 유전상수가 큰 유전막이 도핑된 알루미늄산화막;및 상기 알루미늄산화막 상에 형성된 TiO2화막을 포함하는 Capacitor의 유전막