초록

본 발명은 상이한 검출 온도를 이용한 타겟 핵산 서열의 검출에 관한 것이다. 상이한 검출 온도를 이용하는 본 발명은 하나의 반응 용기에서 단일 유형의 표지만으로도 종래의 실시간 방식으로 복수의 타겟 핵산 서열을 검출할 수 있다. 종래 기술은 타겟 증폭 후 멜팅 분석을 통해 복수의 타겟 핵산 서열을 검출한다. 이와 달리, 본 발명은 타겟 증폭 후 멜팅 분석을 필요로 하지 않아, 분석 시간이 획기적으로 단축된다.

대표청구항 ▼

다음의 단계를 포함하는, 상이한 검출 온도를 이용하여 시료 내 2개의 타겟 핵산 서열을 검출하는 방법:(a) 하나의 반응 용기에서 상기 2개의 타겟 핵산 서열을 검출하기 위한 2개의 시그널-발생 수단(signal-generating means)과 함께 상기 시료를 인큐베이션하고, 발생된 시그널을 단일 유형의 검출기(single type of detector)를 이용하여 검출하는 단계로서; 상기 각각의 타겟 핵산 서열은 상응하는 시그널-발생 수단에 의해 검출되며; 상기 2개의 타겟 핵산 서열 중 하나는 상기 상응하는 시그널-발생 수단

다음의 단계를 포함하는, 상이한 검출 온도를 이용하여 시료 내 2개의 타겟 핵산 서열을 검출하는 방법:(a) 하나의 반응 용기에서 상기 2개의 타겟 핵산 서열을 검출하기 위한 2개의 시그널-발생 수단(signal-generating means)과 함께 상기 시료를 인큐베이션하고, 발생된 시그널을 단일 유형의 검출기(single type of detector)를 이용하여 검출하는 단계로서; 상기 각각의 타겟 핵산 서열은 상응하는 시그널-발생 수단에 의해 검출되며; 상기 2개의 타겟 핵산 서열 중 하나는 상기 상응하는 시그널-발생 수단에 의해 결정되는 상대적 고온 검출 온도(relatively high detection temperature)를 가지고, 다른 하나는 상기 상응하는 시그널-발생 수단에 의해 결정되는 상대적 저온 검출 온도(relatively low detection temperature)를 가지며; 상기 상대적 고온 검출 온도는 상기 상대적 고온 검출 온도를 갖는 타겟 핵산 서열에 대한 시그널을 발생시킬 수 있는 온도이고, 상기 상대적 저온 검출 온도는 상기 상대적 저온 검출 온도를 갖는 타겟 핵산 서열에 대한 시그널 및 상기 상대적 고온 검출 온도를 갖는 타겟 핵산 서열에 대한 시그널 모두를 발생시킬 수 있는 온도이며; 상기 2개의 시그널-발생 수단에 의해 발생되는 시그널은 상기 단일 유형의 검출기에 의해 구별되지 않고; 상기 검출은 상기 상대적 고온 검출 온도 및 상기 상대적 저온 검출 온도 모두에서 실시되며;상기 상대적 고온 검출 온도를 갖는 타겟 핵산 서열에 대한 시그널-발생 수단 및 상기 상대적 저온 검출 온도를 갖는 타겟 핵산 서열에 대한 시그널-발생 수단은 이합체의 형성에 의한 시그널-발생 수단이며; (b) 상기 단계 (a)에서 검출된 시그널에 의해 상기 2개의 타겟 핵산 서열의 존재를 결정하는 단계로서; (i) 상기 상대적 고온 검출 온도를 갖는 타겟 핵산 서열의 존재는 상기 상대적 고온 검출 온도에서 검출된 시그널의 강도에 의해 결정되고, (ii) 상기 상대적 저온 검출 온도를 갖는 타겟 핵산 서열의 존재는 상기 상대적 고온 검출 온도에서 검출된 시그널의 강도 및 상기 상대적 저온 검출 온도에서 검출된 시그널의 강도 간의 차이에 의해 결정된다.