초록

본 발명은, 특정 컬럼 및 웨이퍼 전압에서 동작되는 하전 입자 빔 컬럼과 함께 사용될, 물체로부터 방출되는 전자의 검출을 위한 센서에 관한 것이다.센서는, 센서의 활성 영역과의 음이온들의 상호작용을 적어도 감소시키면서 전자 에너지 손실을 최소화하도록 구성되고 동작가능하다.센서는 또한, 활성 영역의 음극선발광 효율의 점진적 열화, 및 센서의 동작 동안 발생하고 신틸레이터의 수명 전체에 걸쳐 진전되는 음극선발광의 동적 변화 둘 모두를 최소화하도록 구성되고 동작가능하다.

대표청구항 ▼

물체로부터 방출되는 전자의 검출을 위한 센서로서,활성 영역 및 특정 수명을 갖는 신틸레이터 구조 ― 상기 신틸레이터 구조는, 음극선발광(cathodoluminescence)에 의해 특정 충돌 에너지의 전자들의 충돌 시 특정 파장 범위의 광자들을 방출하도록 구성되고 동작가능한 고속 신틸레이터 물질을 포함함 ―; 및상기 신틸레이터 구조와 경계를 이루고 상기 물체로부터 방출되는 전자들에 노출되는 코팅 구조를 포함하며, 상기 코팅 구조는 상기 활성 영역과 상기 코팅 구조 사이의 계면에 걸쳐 균일한 전위를 유지하도록 구성되고 동작가능하고,

물체로부터 방출되는 전자의 검출을 위한 센서로서,활성 영역 및 특정 수명을 갖는 신틸레이터 구조 ― 상기 신틸레이터 구조는, 음극선발광(cathodoluminescence)에 의해 특정 충돌 에너지의 전자들의 충돌 시 특정 파장 범위의 광자들을 방출하도록 구성되고 동작가능한 고속 신틸레이터 물질을 포함함 ―; 및상기 신틸레이터 구조와 경계를 이루고 상기 물체로부터 방출되는 전자들에 노출되는 코팅 구조를 포함하며, 상기 코팅 구조는 상기 활성 영역과 상기 코팅 구조 사이의 계면에 걸쳐 균일한 전위를 유지하도록 구성되고 동작가능하고, 상기 코팅 구조는, 상기 활성 영역에 의해 방출된 광자들을 다시 상기 활성 영역을 향해 반사하도록 선택되는 특정 물질 조성, 및 상기 활성 영역과의 음이온들의 상호작용을 적어도 감소시키면서 상기 코팅 구조와 충돌할 때의 전자 에너지 손실을 최소화도록 선택되는 특정 두께를 갖는, 물체로부터 방출되는 전자의 검출을 위한 센서.