초록 ▼

기판을 처리하기 위한 진공 처리 시스템이 설명된다.처리 시스템은 제1 클러스터 챔버에 연결된 제1 처리 챔버; 제1 처리 챔버에서 기판을 처리하기 위한 제1 처리 스테이션; 제2 클러스터 챔버에 연결된 제2 처리 챔버; 제1 클러스터 챔버 및 제2 클러스터 챔버에 연결된 제1 이송 챔버 ― 제1 이송 챔버는 제1 클러스터 챔버와 제2 클러스터 챔버 사이에서 연장되는 제1 길이를 가지며, 제1 이송 챔버는 기판을 수용하도록 크기 설정됨 ―; 제2 클러스터 챔버에 연결되고, 제1 길이보다 짧은 제2 길이를 갖는 제2 이송 챔버; 및 제

기판을 처리하기 위한 진공 처리 시스템이 설명된다.처리 시스템은 제1 클러스터 챔버에 연결된 제1 처리 챔버; 제1 처리 챔버에서 기판을 처리하기 위한 제1 처리 스테이션; 제2 클러스터 챔버에 연결된 제2 처리 챔버; 제1 클러스터 챔버 및 제2 클러스터 챔버에 연결된 제1 이송 챔버 ― 제1 이송 챔버는 제1 클러스터 챔버와 제2 클러스터 챔버 사이에서 연장되는 제1 길이를 가지며, 제1 이송 챔버는 기판을 수용하도록 크기 설정됨 ―; 제2 클러스터 챔버에 연결되고, 제1 길이보다 짧은 제2 길이를 갖는 제2 이송 챔버; 및 제1 처리 챔버, 제2 처리 챔버, 제1 클러스터 챔버, 제2 클러스터 챔버, 제1 이송 챔버 및 제2 이송 챔버를 통해, 수직으로부터 15° 이하만큼 벗어난 배향으로 기판을 라우팅하도록 제공된 기판 운반 배열체를 포함한다.

대표청구항 ▼

기판을 처리하기 위한 진공 처리 시스템(vacuum processing system)으로서,제1 클러스터 챔버(cluster chamber)에 연결된 제1 처리 챔버(processing chamber);상기 제1 처리 챔버에서 상기 기판을 처리하기 위한 제1 처리 스테이션(processing station);제2 클러스터 챔버에 연결된 제2 처리 챔버;상기 제1 클러스터 챔버 및 상기 제2 클러스터 챔버에 연결된 제1 이송 챔버(transfer chamber) ― 상기 제1 이송 챔버는 상기 제1 클러스터 챔버와 상기 제2 클러스터

기판을 처리하기 위한 진공 처리 시스템(vacuum processing system)으로서,제1 클러스터 챔버(cluster chamber)에 연결된 제1 처리 챔버(processing chamber);상기 제1 처리 챔버에서 상기 기판을 처리하기 위한 제1 처리 스테이션(processing station);제2 클러스터 챔버에 연결된 제2 처리 챔버;상기 제1 클러스터 챔버 및 상기 제2 클러스터 챔버에 연결된 제1 이송 챔버(transfer chamber) ― 상기 제1 이송 챔버는 상기 제1 클러스터 챔버와 상기 제2 클러스터 챔버 사이에서 연장되는 제1 길이를 가지며, 상기 제1 이송 챔버는 상기 기판을 수용하도록 크기 설정됨 ―;상기 제2 클러스터 챔버에 연결되고, 상기 제1 길이보다 짧은 제2 길이를 갖는 제2 이송 챔버 ― 상기 제2 이송 챔버의 제2 길이는 상기 기판의 수평 치수보다 짧음 ―; 및상기 제1 처리 챔버, 상기 제2 처리 챔버, 상기 제1 클러스터 챔버, 상기 제2 클러스터 챔버, 상기 제1 이송 챔버 및 상기 제2 이송 챔버를 통해, 수직으로부터 15° 이하만큼 벗어난 배향으로 상기 기판을 라우팅(routing)하도록 제공된 기판 운반 배열체(substrate transportation arrangement)를 포함하는,진공 처리 시스템.