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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2021-7028960 (2021-09-09) | |
공개번호 | 10-2021-0125539 (2021-10-18) | |
우선권정보 | 일본(JP) JP-P-2019-049548 (2019-03-18) | |
국제출원번호 | PCT/JP2020/009188 (2020-03-04) | |
국제공개번호 | WO 2020/189286 (2020-09-24) | |
번역문제출일자 | 2021-09-09 | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020217028960 | |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2021-09-09) | |
법적상태 | 공개 |
세라믹 히터(31)는, 웨이퍼 적재면(32a)을 구비한 AlN 세라믹 기체(32)에, 웨이퍼 적재면(32a)에 가까운 쪽으로부터 플라스마 발생용의 RF 전극(33), 히터 전극(34)이 이 순서로 이격된 상태로 매설되어 있다.AlN 세라믹 기체(32)는, RF 전극(33)과 히터 전극(34) 사이에 마련된 AlN 세라믹 고저항층과, 고저항층 이외의 AlN 세라믹 저저항층을 구비하고 있다.고저항층과 저저항층 모두 Si, Mg 및 Ti을 포함한다.고저항층은, 저저항층에 비해, Mg 및 Ti의 함유량이 많아 체적 저항률이 높다.
웨이퍼 적재면을 구비한 AlN 세라믹 기체에, 상기 웨이퍼 적재면에 가까운 쪽으로부터 플라스마 발생용 전극, 히터 전극이 이 순서로 이격된 상태로 매설된 세라믹 히터이며,상기 AlN 세라믹 기체는,상기 플라스마 발생용 전극과 상기 히터 전극 사이에 마련된 AlN 세라믹 고저항층과,상기 고저항층 이외의 AlN 세라믹 저저항층을 구비하고,상기 고저항층과 상기 저저항층 모두 Si, Mg 및 Ti을 포함하고,상기 고저항층은, 상기 저저항층에 비해, Mg 및 Ti의 함유량이 많아 체적 저항률이 높은, 세라믹 히터.
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