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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2022-7014613 (2022-04-29) | |
공개번호 | 10-2022-0136990 (2022-10-11) | |
우선권정보 | 중국(CN) 202110340148.X (2021-03-30) | |
국제출원번호 | PCT/CN2021/117270 (2021-09-08) | |
국제공개번호 | WO 2022/205776 (2022-10-06) | |
번역문제출일자 | 2022-04-29 | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020227014613 | |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2022-04-29) | |
법적상태 | 공개 |
본 출원은 포토레지스트 제거 방법, 포토레지스트 제거 시스템 및 칩 제조 기술 분야에 관한 것이다. 상기 방법은 타깃 웨이퍼를 획득하는 단계 - 타깃 웨이퍼의 표면에 포토레지스트가 제공되고, 포토레지스트의 포토레지스트 층의 표면은 금속 오버헤드 층으로 도금됨 -; 제1 기간 동안 수조에서 제1 온도의 제1 유기 용매에 타깃 웨이퍼를 침지(immersing)하는 단계; 제1 유기 용매에서 타깃 초음파 파워에 기초하여 제2 기간 동안 세정된 타깃 웨이퍼에 대해 초음파 세척을 수행하는 단계; 제2 기간 후 타깃 웨이퍼의 표면에 잔류하는
생산 라인 디바이스에 의해 수행되는 포토레지스트 제거 방법에 있어서,타깃 웨이퍼를 획득하는 단계 - 상기 타깃 웨이퍼의 표면에 포토레지스트가 제공되고, 상기 포토레지스트의 포토레지스트 층의 표면은 금속 오버헤드 층으로 도금되며, 상기 금속 오버헤드 층은 3차원 중공(hollowed-out) 구조를 포함함 -;제1 기간 동안 수조에서 제1 온도의 제1 유기 용매에 상기 타깃 웨이퍼를 침지(immersing)하는 단계;상기 제1 기간 후 새로운 제1 유기 용매로 상기 타깃 웨이퍼를 세정(rinse)하는 단계;상기 제1 유기 용매에서 타
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