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[한국특허] 반사형 마스크 블랭크, 반사형 마스크, 반사형 마스크 블랭크의 제조 방법 및 반사형 마스크의 제조 방법 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/등록특허
국제특허분류(IPC8판)
  • G03F-001/24
  • G03F-001/32
  • G03F-001/48
출원번호 10-2023-7012575 (2023-04-13)
공개번호 10-2023-0053728 (2023-04-21)
등록번호 10-2649175-0000 (2024-03-14)
우선권정보 일본(JP) JP-P-2021-138856 (2021-08-27)
국제출원번호 PCT/JP2022/030631 (2022-08-10)
국제공개번호 WO 2023/026868 (2023-03-02)
번역문제출일자 2023-04-13
DOI http://doi.org/10.8080/1020237012575
발명자 / 주소
  • 다키 ��야 / 일본 ******* 도쿄도 지요다쿠 마루노우치 *쵸메 *방 *고 에이지씨 가부시키가이샤 내
  • 이와오카 히로아키 / 일본 ******* 도쿄도 지요다쿠 마루노우치 *쵸메 *방 *고 에이지씨 가부시키가이샤 내
  • 아카기 다이지로 / 일본 ******* 도쿄도 지요다쿠 마루노우치 *쵸메 *방 *고 에이지씨 가부시키가이샤 내
  • 이시카와 이치로 / 일본 ******* 도쿄도 지요다쿠 마루노우치 *쵸메 *방 *고 에이지씨 가부시키가이샤 내
출원인 / 주소
  • 에이지씨 가부시키가이샤 / 일본 도쿄도 지요다쿠 마루노우치 *쵸메 *방 *고
대리인 / 주소
  • 한상욱; 최희준; 이석재
심사청구여부 있음 (2023-04-13)
심사진행상태 등록결정(일반)
법적상태 등록

초록

반사형 마스크 블랭크는 기판과, EUV 광을 반사하는 다층 반사막과, 상기 EUV 광의 위상을 시프트시키는 위상 시프트막을 이 순으로 갖는다.상기 위상 시프트막은 Ru 및 Ru와는 다른 원소 X2를 포함하는 화합물을 포함한다.상기 화합물의 산화물의 융점 MP1과, 상기 화합물의 불화물 또는 산 불화물의 융점 MP2가, 명세서 중의 식 (1)을 충족한다.

대표청구항

기판과, EUV 광을 반사하는 다층 반사막과, 상기 EUV 광의 위상을 시프트시키는 위상 시프트막을 이 순으로 갖는 반사형 마스크 블랭크이며,상기 위상 시프트막은, Ru, 및 Ru와는 다른 원소 X2로서, Ta, W, Re 및 Cr로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나의 원소를 포함하는 화합물을 포함하고,상기 화합물의 산화물의 융점 MP1과, 상기 화합물의 불화물 또는 산 불화물의 융점 MP2가, 하기 식 (1) 및 하기 식 (2)를 충족하는, 반사형 마스크 블랭크.

이 특허에 인용된 특허 (4)

  1. [한국] 반사형 마스크 블랭크, 반사형 마스크, 그리고 반사형 마스크 및 반도체 장치의 제조 방법 | 이케베 요헤이, 쇼키 츠토무
    상세보기
  2. [한국] 다층 반사막을 갖는 기판, 반사형 마스크 블랭크, 반사형 마스크 및 그 제조 방법, 그리고 반도체 장치의 제조 방법 | 스즈끼, 고따, 오노우에, 다까히로
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  3. [일본] REFLECTIVE MASK BLANKS, REFLECTIVE MASK, AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE | HOSOYA MORIO
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  4. [일본] REFLECTION TYPE MASK BLANK, REFLECTION TYPE MASK AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE | IKEBE YOHEI
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