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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2024-0047509 (2024-04-08) | |
공개번호 | 10-2024-0058804 (2024-05-03) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020240047509 | |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2024-04-08) | |
법적상태 | 공개 |
본 발명은 쌍극형 정전척 캐리어의 구조화한 도전층 제조방법에 관한 것으로 캐리어 층의 열산화로 실리콘 산화막이 상기 캐리어 층의 전면에 성막되는 제 1 전기절연층 성막공정 (S1단계)과; 상기 캐리어 층에 네거티브 포토 레지스트 층을 도포하는 포토 레지스트 도포공정 (S2단계)과; 상기 네거티브 포토 레지스트 층에 도전층의 패턴을 노광하는 노광공정 (S3단계)과; 상기 네거티브 포토 레지스트 층을 현상하는 현상공정 (S4단계)과; 상기 실리콘 산화막상에 패터닝된 네거티브 포토 레지스트를 마스킹으로 하여 노출된 실리콘 산화막상에 시드
캐리어 층의 열산화로 실리콘 산화막이 상기 캐리어 층의 전면에 성막되는 제 1 전기절연층 성막공정 (S1단계)과;상기 캐리어 층에 네거티브 포토 레지스트 층을 도포하는 포토 레지스트 도포공정 (S2단계)과;상기 네거티브 포토 레지스트 층에 도전층의 패턴을 노광하는 노광공정 (S3단계)과;상기 네거티브 포토 레지스트 층을 현상하는 현상공정 (S4단계)과;상기 실리콘 산화막상에 패터닝된 네거티브 포토 레지스트를 마스킹으로 하여 노출된 실리콘 산화막상에 시드층으로 도전막이 증착되는 물리 증착공정 (S5단계)과;마스킹인 네거티브 포토 레지
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