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연합인증

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P-타입GAAS오믹 접촉 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/등록실용신안
국제특허분류(IPC9판)
  • H01S-005/22
출원번호 20-1990-0011340 (1990-07-31)
공개번호 20-1992-0003434 (1992-02-25)
공고번호 20-0095778-0000 (1995-10-11)
등록번호 20-0095778-0000 (1996-04-03)
DOI http://doi.org/10.8080/2019900011340
발명자 / 주소
  • 서주옥 / 서울시서초구우면동**번지
출원인 / 주소
  • 주식회사 엘지이아이 / 서울시영등포구여의도동**번지
대리인 / 주소
  • 김국남; 김한얼 (KIM, KOOK NAM)
  • 서울 강남구 역삼동 ***-** 금마빌딩 *층; 서울 강남구 역삼동 ***-** 신원빌딩 *층(특허법인 우린)
심사청구여부 있음 (1992-05-29)
심사진행상태 등록결정(일반)
법적상태 소멸

초록

[청구범위]P-타입 GaAs에 형성되는 오믹 접촉에 있어서, Be가 도우프된 GaAs층(1)위에 e-비임으로 Pd(4)/Zn(5)/Pd(6)/Au(3)를 차례로 증착하고 H2분위기에서 일정온도로 일정시간동안 열처리하여 형성되는 것을 특징으로 하는 P-타입 GaAs오믹 접촉

대표청구항

P-타입 GaAs에 형성되는 오믹 접촉에 있어서, Be가 도우프된 GaAs층(1)위에 e-비임으로 Pd(4)/Zn(5)/Pd(6)/Au(3)를 차례로 증착하고 H2분위기에서 일정온도로 일정시간동안 열처리하여 형성되는 것을 특징으로 하는 P-타입 GaAs 오믹 접촉.

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