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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록실용신안 |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 20-1997-0028911 (1997-10-17) |
공개번호 | 20-1999-0015600 (1999-05-15) |
등록번호 | 20-0200667-0000 (2000-08-10) |
DOI | http://doi.org/10.8080/2019970028911 |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (1997-10-17) |
심사진행상태 | 등록결정(일반) |
법적상태 | 소멸 |
본 고안은 반도체제조장치에서 발생하는 가스의 온도차에 의하여 생성되는 파우더 또는 흄을 제거하기 위한 제거장치에 관한 것이다.본 고안에 의하면, 반도체제조장치에서 발생하는 가스가 배기되는 덕트상에 설치되는 외부케이싱의 내부에는, 입구 및 출구가 각각 상이한 높이를 가지는 수평방향의 유입덕트와 배기덕트를 설치한다. 유입덕트에서 배기되는 가스중에 포함된 파우더 또는 흄은, 높이가 상이한 배기덕트 입구로 유입되지 못하고, 외부케이싱의 바닥면에 쌓이게 된다.
반도체제조장치에서 발생한 가스가 유입되는 유입덕트와; 상기 유입덕트의 출구가 수평방향으로 내부로 설치되는 외부케이싱; 그리고 상기 외부케이싱의 내부에서 입구가 상기 유입덕트의 출구보다 높은 위치에서 수평으로 설치되는 배기덕트를 포함하여 구성되는 파우더 제거장치.
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