[특허]Silicon wafer polishing

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IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	B24B-001/00
출원번호	US-0638018 (1975-12-05)
발명자 / 주소	Basi Jagtar S. (Fishkill NY)
출원인 / 주소	International Business Machines Corporation (Armonk NY 02)
인용정보	피인용 횟수 : 28 인용 특허 : 0

초록

The polishing of monocrystalline silicon wafers with an aqueous composition of fine sized abrasive particles, a soluble alkali metal base such a sodium carbonate and an oxidizing agent such as sodium or potassium salt of dichloroisocyanuric acid (e.g., salts of halo-trizenetrione).

대표청구항 ▼

A reagent composition for polishing substrates comprising an aqueous mixture of silicon dioxide particles in a size range of about 5 to about 200 millimicrons, a soluble alkali metal base and an oxidizing agent selected from the group consisting of sodium and potassium salts of dihaloisocyanuric acid, wherein the ratio of said base to said oxidizing agent is in the range of about 05:1 to about 3.2:1, and with the ratio of silicon particles to said base in the range of about 8.5:1 to about 55.6:1. A process for polishing crystalline silicon which comprises applying to a surface of said silicon a polishing composition of claim 1, and polishing said silicon therewith.

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Kordonsky William I. (Minsk BYX) Prokhorov Igor V. (Minsk BYX) Gorodkin Sergei R. (Minsk BYX) Gorodkin Gennadii R. (Minsk BYX) Gleb Leonid K. (Minsk BYX) Kashevsky Bronislav E. (Minsk BYX), Magnetorheological polishing devices and methods.
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