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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0289346 (1988-12-22) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 56 인용 특허 : 9 |
A raised source/drain transistor is provided having thin sidewall spacing insulators (54) adjacent the transistor gate (48). A first sidewall spacer (64) is disposed adjacent thin sidewall spacing insulator (54) and raised source/drain region (60). A second sidewall spacer (66) is formed at the inte
A field effect transistor comprising: a gate formed on a substrate having first and second sidewalls, said first and second sidewalls being substantially vertical; first and second field insulating regions formed on the surface of said substrate, said first and second field insulating regions being
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