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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0307289 (2006-01-31) |
등록번호 | US-7407736 (2008-08-05) |
발명자 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 15 |
Methods for improving a single layer resist (SLR) patterning scheme, and in particular, its SLR layer and anti-reflective coating (ARC) etch selectivity, are disclosed. In one method, a patterned SLR layer over an anti-reflective coating (ARC) is provided and at least a portion of the patterned SLR
The invention claimed is: 1. A method for a single layer resist (SLR) patterning scheme, the method comprising: providing a patterned SLR layer over an anti-reflective coating (ARC), the patterned SLR layer and the ARC each including a polymer, wherein the patterned SLR layer includes one of: a pol
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