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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0436727 (2006-05-17) |
등록번호 | US-7479303 (2009-01-20) |
우선권정보 | KR-2005-41910(2005-05-19); KR-2006-27444(2006-03-27) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 31 인용 특허 : 6 |
Disclosed is a method of chemical vapor deposition (CVD). The method provides for use of a showerhead through which a source material gas including a reactive gas of at least one kind and a purge gas is injected over a substrate located in a reaction chamber to deposit a film on the substrate. The
What is claimed is: 1. A method of chemical vapor deposition (CVD) comprising: providing a showerhead through which a source material gas including a reactive gas of at least one kind and a purge gas is injected over a substrate located in a reaction chamber to deposit a film on the substrate, wher
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