[특허]Vapor phase growth method

Vapor phase growth method 원문보기

IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	H01L-021/36
출원번호	US-0589733 (2005-02-15)
등록번호	US7883998 (2011-01-26)
우선권정보	JP-2004-004-039177(2004-02-17)
국제출원번호	PCT/JP2005/002222 (2005-02-15)
§371/§102 date	20070322 (20070322)
국제공개번호	WO05/078780 (2005-08-25)
발명자 / 주소	Nakamura, Masashi Oota, Suguru Hirano, Ryuichi
출원인 / 주소	Nippon Mining & Metals Co., Ltd.
대리인 / 주소	Birch, Stewart, Kolasch & Birch, LLP
인용정보	피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 15

초록 ▼

It is to provide a vapor phase growth method in which an epitaxial layer consisting of a compound semiconductor such as InAlAs, can be grown, with superior reproducibility, on a semiconductor substrate such as Fe-doped InP. In vapor phase growth method for growing an epitaxial layer on a semiconductor substrate, a resistivity of the semiconductor substrate at a room temperature is previously measured, a set temperature of the substrate is controlled depending on the resistivity at the room temperature such that a surface temperature of the substrate is a desired temperature regardless of the resistivity of the semiconductor substrate, and the epitaxial layer is grown.

대표청구항 ▼

The invention claimed is: 1. A reproducible vapor phase growth method for growing an epitaxial layer on semiconductor substrates of a single crystal, comprising:measuring a resistivity of arbitrary semiconductor substrates at a room temperature;obtaining respectively a relationship between a heating temperature and a temperature of a surface of the arbitrary semiconductor substrates, for the arbitrary semiconductor substrates having different resistivities, the relationship depending on different cutting positions of the single crystal;setting and adjusting said heating temperature of a semiconductor substrate to be used based on (i) a measured resistivity of the semiconductor substrate to be used and (ii) the obtained relationship between the heating temperature and the temperature of the surface of said semiconductor substrate; andgrowing the epitaxial layer, wherein the temperature of said surface of said semiconductor substrate to be used is indirectly controlled by adjusting said heating temperature.

이 특허에 인용된 특허 (15)

Molnar Bela (Alexandria VA), Annealing of ion-implanted GaAs and InP semiconductors.
상세보기
Shimakura Haruhito (all c/o Nippon Mining Co. ; Ltd Denshizairyo-Buhin Kenkyusho ; 17-35 ; Niizominami 3-chome Toda-shi ; Saitama 335 JPX) Kano Gaku (all c/o Nippon Mining Co. ; Ltd Denshizairyo-Buhi, Compound semiconductor single crystals and the method for making the crystals, and semiconductor devices employing the c.
상세보기
Wanlass Mark W., Electrical isolation of component cells in monolithically interconnected modules.
상세보기
Iguchi Yasuhiro,JPX ; Sowa Sosuke,JPX, Method and apparatus for diffusing zinc into groups III-V compound semiconductor crystals.
상세보기
Akiyama Shoji,JPX ; Otsuka Toru,JPX ; Habuka Hitoshi,JPX, Method for fabrication of thin film.
상세보기
Kainosho Keiji (Toda JPX) Shimakura Haruhito (Toda JPX) Oda Osamu (Toda JPX), Method for producing compound semiconductor single crystals and method for producing compound semiconductor devices.
상세보기
Johnston ; Jr. Wilbur D. (Mendham NJ) Karlicek ; Jr. Robert F. (South Plainfield NJ) Long Judith A. (Millburn NJ) Wilt Daniel P. (Scotch Plains NJ), Method of controlling dopant incorporation in high resistivity In-based compound Group III-V epitaxial layers.
상세보기
Thompson Phillip E. (Springfield VA) Dietrich Harry B. (Fairfax VA), Method of forming thermally stable high resistivity regions in n-type indium phosphide by oxygen implantation.
상세보기
Matloubian Mehran (Encino CA) Jelloian Linda M. (Northridge CA) Lui Mark (Thousand Oaks CA) Liu Takyiu (Newbury Park CA), Method of growing high breakdown voltage allnas layers in InP devices by low temperature molecular beam epitaxy.
상세보기
Calviello Joseph A. (Kings Park NY) Hickman Grayce A. (Hicksville NY), Monolithic integrated circuit having compound semiconductor layer epitaxially grown on ceramic substrate.
상세보기
Hiroki Ose JP, Semiconductor wafer and production method therefor.
상세보기
Hiroki Ose JP, Semiconductor wafer and vapor growth apparatus.
상세보기
Davis Bradley M. ; Song Shengnian Davis ; Sun Sey-Ping, Using a superlattice to determine the temperature of a semiconductor fabrication process.
상세보기
Davis Bradley M. ; Song Shengnian Davis ; Sun Sey-Ping, Using a superlattice to determine the temperature of a semiconductor fabrication process.
상세보기
Zhu, Zhong Yun; Jaiswal, Rajneesh; Karim, Haznita Abd; Zhang, Bei Chao; Cham, Johnny; Yelamanchi, Ravi Sankar; Leong, Chee Kong, Using refractory metal silicidation phase transition temperature points to control and/or calibrate RTP low temperature operation.
상세보기

내보내기 메뉴

내보내기 구분

파일저장
인쇄
메일전송

구성항목

기본정보
상세정보

관리번호, 국가코드, 자료구분, 상태, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 등록번호, 등록일자, 발명명칭(한글), 발명명칭(영문), 출원인(한글), 출원인(영문), 출원인코드, 대표IPC

저장형식

Text(ASCII format)
Excel format
PIAS분석(.xls)

메일정보

받는사람 (필수): @
보내는사람 (선택): @
제목
내용: KISTI 검색결과 이메일 서비스

안내

총 건의 자료가 검색되었습니다.

다운받으실 자료의 인덱스를 입력하세요. (1-10,000)

검색결과의 순서대로 최대 10,000건 까지 다운로드가 가능합니다.

데이타가 많을 경우 속도가 느려질 수 있습니다.(최대 2~3분 소요)

다운로드 파일은 UTF-8 형태로 저장됩니다.
파일의 내용이 제대로 보이지 않을실 때는 웹브라우저 상단의 보기 -> 인코딩 -> 자동선택 여부를 확인하십시오.

Text(ASCII format)
Excel format

AI-Helper ※ AI-Helper는 을 사용합니다.

AI-Helper

안녕하세요, AI-Helper입니다. 좌측 "선택된 텍스트"에서 텍스트를 선택하여 요약, 번역, 용어설명을 실행하세요.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.

IPC	Description
A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

연합인증

Vapor phase growth method 원문보기

초록 ▼

대표청구항 ▼

연구과제 타임라인

이 특허에 인용된 특허 (15)

관련 콘텐츠

특허 원문 보기

IPC 상위 출원인

이 특허와 함께 이용한 콘텐츠

AI-Helper ※ AI-Helper는 오픈소스 모델을 사용합니다.

선택된 텍스트

내보내기 구분	파일저장 인쇄 메일전송
구성항목	기본정보 상세정보 관리번호, 국가코드, 자료구분, 상태, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 등록번호, 등록일자, 발명명칭(한글), 발명명칭(영문), 출원인(한글), 출원인(영문), 출원인코드, 대표IPC 관리번호, 국가코드, 자료구분, 상태, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 공고번호, 공고일자, 등록번호, 등록일자, 발명명칭(한글), 발명명칭(영문), 출원인(한글), 출원인(영문), 출원인코드, 대표출원인, 출원인국적, 출원인주소, 발명자, 발명자E, 발명자코드, 발명자주소, 발명자 우편번호, 발명자국적, 대표IPC, IPC코드, 요약, 미국특허분류, 대리인주소, 대리인코드, 대리인(한글), 대리인(영문), 국제공개일자, 국제공개번호, 국제출원일자, 국제출원번호, 우선권, 우선권주장일, 우선권국가, 우선권출원번호, 원출원일자, 원출원번호, 지정국, Citing Patents, Cited Patents
저장형식	Text(ASCII format) Excel format PIAS분석(.xls)
메일정보	받는사람 (필수) @ 보내는사람 (선택) @ 제목 내용 KISTI 검색결과 이메일 서비스
안내	총 건의 자료가 검색되었습니다. 다운받으실 자료의 인덱스를 입력하세요. (1-10,000) 검색결과의 순서대로 최대 10,000건 까지 다운로드가 가능합니다. 데이타가 많을 경우 속도가 느려질 수 있습니다.(최대 2~3분 소요) 다운로드 파일은 UTF-8 형태로 저장됩니다. 파일의 내용이 제대로 보이지 않을실 때는 웹브라우저 상단의 보기 -> 인코딩 -> 자동선택 여부를 확인하십시오. ~ Text(ASCII format) Excel format

연합인증

Vapor phase growth method 원문보기

초록 ▼

대표청구항 ▼

연구과제 타임라인

전체(0) 논문(0) 특허(0) 보고서(0)

전체(0) 논문(0) 특허(0) 보고서(0)

이 특허에 인용된 특허 (15)

관련 콘텐츠

특허 원문 보기

IPC 상위 출원인

이 특허와 함께 이용한 콘텐츠

AI-Helper ※ AI-Helper는 오픈소스 모델을 사용합니다.

선택된 텍스트